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51.
介绍用已知年龄和烧结温度的古陶片穆斯堡尔超精细参数与年龄和烧结温度的实验关系曲线作基础,应用计算机模拟程序,自动求出未知陶片的年龄和最高烧结温度的方法。 相似文献
52.
研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性,求出了非线性色散方程,揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率,低于这个频率,非线性s偏振表面波的频率范围,发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素,两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。 相似文献
53.
硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析 总被引:5,自引:2,他引:3
基于参数化的计算机辅助设计(CAD)软件,对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模,以有限元分析软件为工具,进行了谐振器的模态分析,静态分析和谐响应分析,初步揭示了谐振器的静、动态特性,有助于改善设计效率和质量,展示了计算机辅助工程(CAE)技术在微机电系统(MEMS)研究中的重要作用。 相似文献
54.
55.
56.
57.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
58.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
59.
60.
用Si3N4,SiO2和Al2O?作原料,以Y2O?为添加剂,研究了O’-β’所在的四个相容性区中组成,于1400—1800℃之间,O’和β’的形成动力学。O’于1400℃开始生成,1600℃达到最大形成量。高于1600℃,O’减少乃至消失。研究发现,O’的这种不稳定性,并非自身热分解的结果。Al含量的增加,液相出现和β’的形成,才是导致O’-Sialon溶解而消失的原因。 此外,认为Si3N4-O’(x=0.3)-Y2Si2O7-YAG相容性区,是在制备具有合理的O’-β’平衡相组成的复相陶瓷时,可供实际选用的组成区。 相似文献