流动注射停流-催化光度法测定环境水样中痕量Mn(Ⅱ)的研究

在碱性介质中,Mn(Ⅱ)对催化KIO4氧化镁试剂Ⅰ(对硝基苯偶氮间苯二酚)的褪色反应有显著作用。据此建立了测定痕量Mn(Ⅱ)的流动注射停流-催化光度法。优化了流动注射条件,Mn(Ⅱ)在2~10μg/L,10~160μg/L,160~1000μg/L范围内符合比尔定律,采样频率6样/h,检出限0.12μg/L,相对标准偏差(RSD)4.9%(n=6)。用于环境水样中Mn(Ⅱ)的检测,回收率为95.5%~102%。     

P对Sn-Cu无铅钎料性能的影响

添加了P到Sn-Cu系无铅钎料中,测定了钎料的熔化温度、抗氧化性能和接头蠕变疲劳寿命。结果表明:在Sn0.7Cu中添加微量的P,提高了无铅钎料的抗氧化性能,对熔化温度基本无影响。Sn0.7Cu0.005P无铅钎料合金熔化温度的峰值为226.7℃,在恒定应力为2MPa的蠕变疲劳试验中,钎料接头蠕变疲劳寿命为337.357min。     

基于行过扫数据降低大面阵CCD图像噪声算法研究

针对全帧转移大面阵电荷耦合器件(CCD)多帧图像数据随时间漂移的现象和测试电路引入的噪声,导致无法准确评估CCD器件的参数,文章提出一种基于行过扫数据校正算法。行有效像元数据与对应行垂直过扫数据同时输出,通过有效像元数据减去垂直过扫数据均值,对图像数据漂移的现象进行抑制。测试电路中模拟模块与数字模块同时作用于单行有效像元数据与垂直过扫数据,通过有效像元数据减去垂直过扫数据均值,消除测试电路引入的噪声。实验结果表明,经过该算法校正后的器件读出噪声减小了20%,暗场差值图像中超过15 e^-和25 e^-的比例减小了25%。该算法适用于大面阵CCD器件,可校正测试系统引入的测试误差,提高全帧转移大面阵CCD器件测试效率。     

低强度激光辐照对蝗虫活性的影响

为研究低强度激光辐照对蝗虫活动能力的影响,以减少农药的使用量和降低农药的浓度,选择大功率连续型近红外半导体二极管激光器,针对3龄至4龄期东亚飞蝗蝻虫头部位置,在距离激光发光面4cm处,进行2s和4s的辐照试验,分别观察比较辐照前后蝗虫的活性和活性降低程度．试验结果表明,辐照前,蝗虫具有较高的活性,辐照后蝗虫的活性降低,并逐渐趋于一致性;辐照时间越长,蝗虫的活性降低程度越高。说明低强度近红外激光辐照蝗虫头部位置能明显抑制其活动能力。     

基于小波变换修正的双线性插值图像放大方法

首先分析小波双线性插值的图像放大算法优缺点,然后根据小波分解各部分之间也具有相似性提出了一种改善的被小波变换修正的双线性插值算法,其仿真结果显示放大后图像在细节丰富程度上不如前者,但视觉效果上改善明显.     

注碳外延硅的荧光特性研究

研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。     

多量子垒结构的有效势垒分析

对多量子垒（ＭＱＢ）的有效垒高与结构上的关系进行了理论研究。讨论了ＭＱＢ有效垒高与阱宽及垒的关系，发现随阱宽的增加，ＭＱＢ有效垒高表现出振荡特性；而随垒宽的增加，ＭＱＢ有效垒高趋于Ｕ０，并不具振荡特性。单ＭＱＢ结构的有效垒高对阱宽较敏感，混合ＭＱＢ更有利于工艺的实现。     

哈特曼法像差自动测量系统图像处理算法的研究

为了解决基于哈特曼法自动测量像差所面对的CCD图像传感和数字图像处理技术,提出了哈特曼光阑图像在存储器中目标的识别与测量的图像映像区搜索算法和哈特曼光阑图像中光斑距离测量的中心重叠算法。图像映像区搜索算法解决了如何在一维图像存储器中准确地寻找二维图像目标,找到目标之后如何进行有关的目标计算的技术。理论分析和实验表明利用所有光斑的质心求解哈特曼光阑图像的重心,再由光斑质心关于光阑图像重心的对称性确定光斑质心距离的中心重叠算法增加7算法可计算性和减少了计算次数,大大降低了算法的时间复杂度和计算复杂度。     

一种图像清晰度评价方法

图像清晰度评价在图像分析和识别中具有重要的意义.对于同一内容的图像,清晰图像的边缘相对模糊图像具有较大的灰度变化率的特征.提出了一种以图像边缘灰度变化率为指标的图像清晰度评价方法,即以每一行灰度值连续下降间隔像素点数最多的边缘灰度变化率代表这一行的灰度变化率,计算出图像所有行灰度变化率均值为评价指标.分析了清晰图像与模糊图像某行边缘灰度变化规律,设计了这种新的图像清晰度评价方法的实现流程.以红外图像和一般的可见光和运动模糊图像为对象,进行了该方法与相邻像素灰度方差法和方差法对比研究.实验结果表明:该方法能更好地满足单调性和无偏性,具有更高的灵敏度.     

Ka波段双平衡星型混频器的设计与仿真

采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一个26-38 GHz单片双平衡星型混频器,本设计改变了星型混频器一贯的混合微波集成电路结构,设计了版图实现单片集成,最后得出电磁仿真结果。此混频器能在中频为DC-12 GHz时,电磁仿真结果达到7-10 dB的变频损耗和15 dB以上的端口隔离。