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分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。 相似文献
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一种基于Normal基椭圆曲线密码芯片的设计 总被引:3,自引:3,他引:0
文章设计了一款椭圆曲线密码芯片。实现了GF(2^233)域上normal基椭圆曲线数字签名和认证。并支持椭圆曲线参数的用户配置。在VLSI的实现上,提出了一种新的可支持GF(2^233)域和GF(p)域并行运算的normal基椭圆曲线VLSI架构。其架构解决了以往GF(p)CA算迟后于GF(2^233)域运算的问题,从而提高了整个芯片的运算吞吐率。基于SMIC 0.18μm最坏的工艺,综合后关键路径最大时延3.8ns,面积18mm^2;考虑布局布线的影响,芯片的典型的情况下,每秒可实现8000次签名或4500次认证。 相似文献
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阐述目前国内常见的建设城域网的技术并深入分析比较几种技术的优势和劣势 ,并就CWDM技术的发展和应用方案实例作了简要描述 相似文献
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A new excimer laser annealing (ELA) process that uses a floating amorphous-Silicon (a-Si) thin film with a multichannel structure is proposed for high-performance poly-Si thin-film transistors (TFTs). The proposed ELA method produces two-dimensional (2-D) grain growth, which can result in a high-quality grain structure. The dual-gate structure was employed to eliminate the grain boundaries perpendicular to the current flow in the channel. A multichannel structure was adapted in order to arrange the grain boundary to be parallel to the current flow. The proposed poly-Si TFT exhibits high-performance electrical characteristics, which are a high mobility of 504 cm/sup 2//Vsec and a low subthreshold slope of 0.337 V/dec. 相似文献
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基于多相滤波器的信道化接收机及其应用研究 总被引:16,自引:0,他引:16
本文主要研究了应用多相滤波技术的信道化接收机建模问题。在给定信道频谱划分方案下,推导了基于多相 滤波器的信道化接收机数学模型。并由此模型设计了一个四信道模拟系统。最后用仿真实验结果验证了模型的正确性。 相似文献