dU/dt引发的MOSFET误导通分析

分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。     

一种基于Normal基椭圆曲线密码芯片的设计

文章设计了一款椭圆曲线密码芯片。实现了GF（2^233）域上normal基椭圆曲线数字签名和认证。并支持椭圆曲线参数的用户配置。在VLSI的实现上，提出了一种新的可支持GF（2^233）域和GF（p）域并行运算的normal基椭圆曲线VLSI架构。其架构解决了以往GF（p）CA算迟后于GF（2^233）域运算的问题，从而提高了整个芯片的运算吞吐率。基于SMIC 0．18μm最坏的工艺，综合后关键路径最大时延3．8ns，面积18mm^2；考虑布局布线的影响，芯片的典型的情况下，每秒可实现8000次签名或4500次认证。     

Ad Hoc与无线网络的扩展性研究

Ad Hoc作为无线网络的具有高抗毁性和灵活性的扩展网络,日益引人关注。本文首先从环绕网的理念入手,介绍Ad Hoc作为现有无线网络扩展的意义和优势,然后重点分析并提出融合策略以及需要思考的问题。     

城域光网建设的若干技术分析

阐述目前国内常见的建设城域网的技术并深入分析比较几种技术的优势和劣势 ,并就CWDM技术的发展和应用方案实例作了简要描述     

基于多相滤波器的信道化接收机及其应用研究

本文主要研究了应用多相滤波技术的信道化接收机建模问题。在给定信道频谱划分方案下,推导了基于多相 滤波器的信道化接收机数学模型。并由此模型设计了一个四信道模拟系统。最后用仿真实验结果验证了模型的正确性。     

光电对抗仿真试验系统综述

论述了研制光电对抗仿真试验系统建设的目的和意义,光电武器系统的现状和发展趋势,介绍了光电对抗仿真试验系统的一般组成,给出了光电武器系统的常规试验内容和试验流程,并论述了可能采用的试验方法。     

非线性扩频序列的三项式特性

讨论了三类非线性扩频序列(GMW序列、No序列和Kasami序列)的三项式特性，利用这三类序列的迹表示，证明了GMW序列、No序列和Kasami序列均具有正则三项式对。     

Electrical characterization and process control of cost-effective high-k aluminum oxide gate dielectrics prepared by anodization followed by furnace annealing

A cost-effective technique was introduced to prepare ultrathin aluminum oxide (Al/sub 2/O/sub 3/) gate dielectrics with equivalent oxide thickness (EOT) down to 14 /spl Aring/. Al/sub 2/O/sub 3/ was fabricated by anodic oxidation (anodization) of ultrathin Al films at room temperature in deionized water and then furnace annealed at 650/spl deg/C in N/sub 2/ ambient. Both dc and dac (dc superimposed with ac) anodization techniques were investigated. Effective dielectric constant of k/spl sim/7.5 and leakage current of 2-3 orders of magnitude lower than SiO/sub 2/ are observed. The conduction mechanism in Al/sub 2/O/sub 3/ gate stack is shown to be Fowler-Nordheim (F-N) tunneling. Saturated current behavior in the inversion region of MOS capacitor is observed. It is found that the saturation current is sensitive to interface state capacitance and can be used as an efficient way to evaluate the Al/sub 2/O/sub 3/ gate stack/Si-substrate interfacial property. An optimal process control for preparing Al/sub 2/O/sub 3/ gate dielectrics with minimized interface state capacitance via monitoring the inversion saturation current is demonstrated.     

MMDS与HFC的比较分析

分别介绍了MMDS与HFC系统，通过对MMDS与HFC的比较分析，确立HFC在CATV系统中的主体地位，同时也肯定了MMDS系统在某些地区的不可替代作用和独特的五大优点。     

浅述设备对PCB微孔电镀镀液更新之影响

分析了设备对PCB电镀过程中孔中镀液更新之影响,为有效地利用设备条件改善孔中镀液的更新提供了一些方法及理论数据。