硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析

基于参数化的计算机辅助设计（CAD）软件，对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模，以有限元分析软件为工具，进行了谐振器的模态分析，静态分析和谐响应分析，初步揭示了谐振器的静、动态特性，有助于改善设计效率和质量，展示了计算机辅助工程（CAE）技术在微机电系统（MEMS）研究中的重要作用。     

PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。     

非线性干涉滤光片开关特性及逻辑功能

应用干涉滤光片作为一种光学双稳器件,演示了光学逻辑开关功能。     

可配置非幂方分频器的全新设计方法

本文采用基于计数空间完全划分和周期插入控制计数过程方法设计了非幂方分频器,采用这种全新思路设计的非幂方分频器分频范围很宽,分频输出对后续分频支持好,非常适用于通讯接口中的波特率时钟设计.此外,这种设计思路对系统定时电路和节拍控制电路设计也有一定的借鉴意义.     

声光效应拉曼-内斯方程矩阵级数解法及声光调制器优化设计

提出一种求解正常声光相互作用拉曼 内斯 (Raman Nath)方程的矩阵级数解法 ,该解法直观方便且具有普遍性。计算结果表明 ,对Q =4 1π ,Bragg衍射的效率只有 97 5 % ;对非对称入射 ,以往的Raman Nath近似解误差较大 ;指出提高Bragg衍射效率的有效途径在于提高声光频率比并给出计算声光器件最优长度的计算公式。     

中低速率语音波形编码

提出了一种波形编码的新方法，阐述了其编码原理。该编码算法简单，恢复的语音质量较好。由于利用了矢量量化技术，所以该编码速率较低。     

碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究

对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力.     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

Nd2Fe14B化合物磁晶各向异性起源的理论研究

本文根据Nd₂Fe₁₄B化合物中存有少量巡游电子的基本实验事实,提出了在Nd₂Fe₁₄B中配位子所产生的晶场和巡游电子所产生的电场共同造成了Nd离子磁晶各向异性的理论模型。提出并解决了计算巡游电子同中心Nd离子相互作用的理论方法。在同时考虑Nd离子所受配位子的晶场和巡游电子的电场的作用情况下,用单离子模型计算了Nd₂Fe₁₄B中Nd离子所产生的磁晶各向异性及其随温度的变化。所 关键词：