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991.
平滑度指数对光谱迭代平滑温度发射率分离算法精度的影响分析 总被引:2,自引:0,他引:2
光谱迭代平滑温度发射率分离算法是针对高光谱数据温度发射率分离的有效算法,该算法的关键之处在于引入了衡量地物发射率曲线平滑程度的平滑度指数,用这个指数来评价地物发射率曲线中的大气吸收线残留程度,进而得到地物的温度,最后计算地物的发射率.针对目前文献中定义的平滑度指数和平滑度指数可能的定义,利用MODIS UCSB光谱库中的157条发射率曲线产生模拟数据集,利用模拟数据分析了不同的平滑度指数对光谱迭代平滑温度发射率分离算法精度的影响,给出了最优平滑度指数. 相似文献
992.
993.
为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980 nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200 V,-600 V,-800 V,-1200 V以及+5000 V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4 V电压下反向1200 V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000 V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。 相似文献
994.
阐明了应用DSP来处理热图像的基本电路。分析了非均匀性产生的原因,并根据非均匀性校正数学模型,在DSP图像处理平台上运行非均匀性校正算法,使得红外热图像成像质量获得了明显的提高。 相似文献
995.
给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RFM EM S开关的设计和制作研究。分析表明,当开关的上电极为多支撑梁结构时,需要对传统的开关等效电路加以改进。利用新型等效电路模型进行模拟发现,通过适当的参数选择,可以获得多谐振点开关,不仅可以在多个频段适用,并且可以适用于较低频段。设计了一种可工作在X波段下的三谐振点电容式RF MEMS开关,并在高阻硅衬底上采用表面微加工工艺制备了开关样品。三谐振点开关的在片测试结果为:驱动电压为7 V,“开”态的插入损耗为0.69 dB@10.4 GHz,“关”态的隔离度为30.8 dB@10.4 GHz,其微波性能在0~13.5 GH z频段下优于类似结构的传统单谐振点开关。 相似文献
996.
997.
TiO_2纳米薄膜在光催化、传感、环境工程等领域具有广阔的应用前景,本文根据国内外的研究报道及作者对TiO_2纳米薄膜的研究,简单地介绍了它的制备方法和应用。 相似文献
998.
HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发.然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。 相似文献
999.
1000.
空心光子晶体光纤(PCF)的空气填充率是影响PCF性能的一个重要参数。针对几种不同的空气填充率,设计出了几种不同结构的空心PCF。应用平面波展开法对其进行了研究,分析讨论了空气填充率对特殊结构PCF泄漏模以及色散系数的影响。 相似文献