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静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的. 相似文献
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构造一个求解椭圆型边值问题的多子域D—N交替算法,导出对应的容度方程和等价的迭代法,证明算法的收敛性。 相似文献
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L-带掺铒光纤放大器的研究与进展 总被引:6,自引:1,他引:5
通过理论计算,比较了C-带掺铒光纤放大器和L-带掺铒光纤放大器的增益特性,并较为全面地阐述了近几年来国内外对L-带掺铒光纤放大器的研究情况。通过对L-带掺铒光纤放大器工作原理的分析,总结出新的设计思路与方案,提出了一些新的研究点。 相似文献
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硅表面上的纳米量子点的自组织生长 总被引:1,自引:1,他引:0
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景 相似文献
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指出了为发展ADSL而提高市话音频铜线电缆的传输质量和维护水平的必要性,分析了铜线电缆线对有关指标参数低劣的原因和对传输ADSL的影响,并提出了一些改进的意见。 相似文献