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61.
分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。 相似文献
62.
一种基于Normal基椭圆曲线密码芯片的设计 总被引:3,自引:3,他引:0
文章设计了一款椭圆曲线密码芯片。实现了GF(2^233)域上normal基椭圆曲线数字签名和认证。并支持椭圆曲线参数的用户配置。在VLSI的实现上,提出了一种新的可支持GF(2^233)域和GF(p)域并行运算的normal基椭圆曲线VLSI架构。其架构解决了以往GF(p)CA算迟后于GF(2^233)域运算的问题,从而提高了整个芯片的运算吞吐率。基于SMIC 0.18μm最坏的工艺,综合后关键路径最大时延3.8ns,面积18mm^2;考虑布局布线的影响,芯片的典型的情况下,每秒可实现8000次签名或4500次认证。 相似文献
63.
64.
阐述目前国内常见的建设城域网的技术并深入分析比较几种技术的优势和劣势 ,并就CWDM技术的发展和应用方案实例作了简要描述 相似文献
65.
A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi2 nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n+-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO2 and 300 nm Si3N4. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi2 layer and a subsequent out-diffusion process to form the n+-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated. 相似文献
66.
基于多相滤波器的信道化接收机及其应用研究 总被引:16,自引:0,他引:16
本文主要研究了应用多相滤波技术的信道化接收机建模问题。在给定信道频谱划分方案下,推导了基于多相 滤波器的信道化接收机数学模型。并由此模型设计了一个四信道模拟系统。最后用仿真实验结果验证了模型的正确性。 相似文献
67.
68.
非线性扩频序列的三项式特性 总被引:5,自引:1,他引:4
讨论了三类非线性扩频序列(GMW序列、No序列和Kasami序列)的三项式特性,利用这三类序列的迹表示,证明了GMW序列、No序列和Kasami序列均具有正则三项式对。 相似文献
69.
分别介绍了MMDS与HFC系统,通过对MMDS与HFC的比较分析,确立HFC在CATV系统中的主体地位,同时也肯定了MMDS系统在某些地区的不可替代作用和独特的五大优点。 相似文献
70.
碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定,无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统,其表面电场强度均匀(UId),发射电流密度、总电流与发射面积成正比:对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks,一个与两极距离和球半径之比(d/r)相关的函数,其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0,ks=1,d≥r的情况,ks接近于常数。对于10〈d/r〈100的情况,存在一个经验的表达式:ks=1+0.15d/s=0.005(d/r)^2。在引入ks后,不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述:I=a(E-Eo)^b,a,b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。 相似文献