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41.
GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真   总被引:11,自引:2,他引:9  
刘奕  陈海昕  符松 《半导体学报》2004,25(12):1639-1646
采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.  相似文献   
42.
计费帐务系统发展趋势分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
计费帐务系统作为业务运营支撑系统的重要组成部分。其发展方向日益受到运营商的关注。通过对计量帐务系统的研究,首先介绍了传统计费模式的现状以及存在的问题,然后结合各大公司产品对计责帐务系统的关键技术进行了分析,最后提出未来计费帐务系统的特征及对其发展趋势的展望。  相似文献   
43.
The γcmc values of CTAB-SDS decrease from 63.67 mN/m at 10‡C to 36.38 mN/m at 90‡C, slightly lower than those of either CTAB or SDS. Correspondingly, the CMC of CTAB-SDS decreases almost by half. The increase of surface activity of CTAB-SDS can be attributed to the relatively weak electrostatic interaction at high temperature, which is supported by the increase of solubility of CTAB-SDS with rise in temperature. Catalytic effect on oxidation of toluene derivatives with potassium permanganate follows the order CTAB-SDS > SDS > CTAB. This is not caused by the dissociative effect of CTAB-SDS with low surface activity at low temperature, as seen from the fact that almost all oxidative products can be retrieved for different toluene derivatives and surfactants by mimicking the conditions of reaction. In the emulsifications of toluene derivatives at 90‡C, the time that turbid water layers of surfactant solutions take to become clear is the same as that of the catalytic effect on oxidation of toluene derivatives. Thus, it can be inferred that surfactants can improve the oxidation yields of toluene derivatives by increasing the contact between two reacting phases.  相似文献   
44.
A new procedure for the selective oxidation of alcohols to the corresponding aldehydes and ketones with potassium permanganate supported on aluminum silicate at room temperature under solvent-free conditions and shaking is reported.  相似文献   
45.
UC3875在超声电源功率控制系统中的应用   总被引:7,自引:0,他引:7  
根据超声波发生器的功率控制系统原理 ,阐述了移相控制策略对超声波发生器输出电压波形的影响 ,介绍了移相控制专用芯片UC3875的电路结构和使用设计方法。  相似文献   
46.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
47.
1 IntroductionOneofthekeyproblemsinhigh speeddigitalradiocommunicationistheInter Symbol Interfer ence (ISI)causedbythemulti pathbetweenthetransmitterandthereceiver.Becauseoftherelativemovementbetweenthereceiverandthetransmitterandthecontinuouschangeoftransmissionmedia,ISIisusuallytime variant.Inthepasttwotothreedecades,abroadstudyofthetype ,structureandadaptivealgorithmofadaptiveequalizershasbeencarriedouttomitigateISI[1~ 7] .Withtheintroductionofadaptiveantennasanddiversityreceptiontec…  相似文献   
48.
托盘能否有效运用对物流的畅通与否关系重大,这已经引起了国内外专家和学者们的重视,并就此制定了托盘电子信息化管理系统,旨在更合理地使用托盘,推进托盘一体化和共用系统的建立。而RFID技术在托盘的电子信息化管理的应用更将大大提高物流的效率与准确性,托盘电子信息化管理将成为今后托盘管理的趋势。  相似文献   
49.
基于FPGA的ASI信号接收与发送的实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种用FPGA芯片代替Cypress公司的CY78933和CY78923芯片来实现ASI信号接收与发送的方案,详细阐述了DVB—ASI接口的硬件组成与FPGA实现,该接口符合DVB—ASI的接口规范,可实现270Mbps的信号传输,已经得到实际运用。  相似文献   
50.
吴辉 《现代显示》2006,(5):46-48
介绍液晶显示器EDM12864B的原理及其在单片机控制下的简单应用。  相似文献   
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