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91.
以表没食子儿茶素没食子酸酯(Epigallocatechin-gallate,EGCG)为模板分子,α-甲基丙烯酸为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂,在光冷引发条件下合成EGCG分子印迹聚合物,利用该聚合物制成分子印迹固相萃取柱,用于固相萃取茶叶提取物茶多酚,对萃取柱中的清洗液、洗脱剂、上载量等进行了选择.结果表明,在萃取柱上载样品之后,先用V(甲醇):V(水)=1:9溶液进行清洗,再用V(甲醇):V(乙酸)=9:1混合液进行目标分子的洗脱,可以得到比较纯的目标物质EGCG(色谱峰相对峰面积达92.4%),萃取柱在上载样品并进行清洗、洗脱之后,EGCG的回收率达69.3%.分子印迹柱具有较好的稳定性和耐用性能,使用20次后其选择性识别能力仍未降低,但空白印迹柱却没有这样的选择性识别能力. 相似文献
92.
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用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。 相似文献
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97.
SHEN Qifei XU Ruohan WANG Zhi ZHAO Tianyu ZHOU Yu XU Yanzi YANG Zhiwei LEI Ming MENG Lingjie DANG Dongfeng 《高等学校化学研究》2021,37(1):143-149
Aggregation-induced emission(AIE)luminogens(AIEgens)with high brightness in aggregates exhibit great potentials in biological imaging,but these AIEgens are seldom applied in super-resolution biological imaging,especially in the imaging by using the structural illumination microscope(SIM).Based on this consideration,we synthesized the donor-acceptor typed AIEgen of DTPA-BTN,which not only owns high brightness in the near-infrared(NIR)emission region from 600 nm to 1000 nm(photoluminescence quantum yield,PLQYs=11.35%),but also displays excellent photo-stability.In addition,AIE nanoparticles based on 4,7-ditriphenylamine-[1,2,5]-thiadiazolo[3,4-c]pyridine(DTPA-BTN)were also prepared with highly emissive features and excellent biocompatibility.Finally,the developed DTPA-BTN-based AIE nanoparticles were applied in the super-resolution cellular imaging via SIM,where much smaller full width at half-maximum values and high signal to noise ratios were obtained,indicating the superior imaging resolution.The results here imply that highly emissive AIEgens or AIE nanoparticles can be promising imaging agents for super-resolution imaging via SIM. 相似文献
98.
在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源,为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5~65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路,适用于宽输入电压芯片,如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的VGS确定。因此低压电源不随输入电压变化,线性调整率极低。该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成,采用负反馈稳压设计,不使用齐纳二极管,不引入额外的掩膜层,降低了电路成本。在CSMC 0.25μm BCD工艺下,基准电压线性调整率低至0.000 091%,输入电压在5~65 V范围内基准变化小于1μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10-5/℃。 相似文献
99.
基于神经网络的钞票真假识别研究 总被引:3,自引:1,他引:2
利用神经网络与光电检测的技术研制了钞票真假识别系统.介绍了系统的结构组成、工作原理、软件系统、神经网络的优化设计、实验及测试结果.经实践验证,其识别结果稳定可靠,可应用于金融智能防伪点钞机与ATM机中. 相似文献
100.