The Algorithm and Its Application of a Multi-Channel Adaptive Decision-Feedback Equalizer

1　IntroductionOneofthekeyproblemsinhigh speeddigitalradiocommunicationistheInter Symbol Interfer ence (ISI)causedbythemulti pathbetweenthetransmitterandthereceiver.Becauseoftherelativemovementbetweenthereceiverandthetransmitterandthecontinuouschangeoftransmissionmedia,ISIisusuallytime variant.Inthepasttwotothreedecades,abroadstudyofthetype ,structureandadaptivealgorithmofadaptiveequalizershasbeencarriedouttomitigateISI[1～ 7] .Withtheintroductionofadaptiveantennasanddiversityreceptiontec…     

提高托盘利用效率的重要手段——电子信息化管理

托盘能否有效运用对物流的畅通与否关系重大,这已经引起了国内外专家和学者们的重视,并就此制定了托盘电子信息化管理系统,旨在更合理地使用托盘,推进托盘一体化和共用系统的建立。而RFID技术在托盘的电子信息化管理的应用更将大大提高物流的效率与准确性,托盘电子信息化管理将成为今后托盘管理的趋势。     

基于FPGA的ASI信号接收与发送的实现

提出了一种用FPGA芯片代替Cypress公司的CY78933和CY78923芯片来实现ASI信号接收与发送的方案，详细阐述了DVB—ASI接口的硬件组成与FPGA实现，该接口符合DVB—ASI的接口规范，可实现270Mbps的信号传输，已经得到实际运用。     

单片机控制下液晶显示器的使用

介绍液晶显示器EDM12864B的原理及其在单片机控制下的简单应用。     

基于FPGA的CAVLC编解码器设计与实现

H．264标准在基本档次和扩展档次中采用CAVLC熵编码，完成对变换系数残差块的编码。提出一种基于FPGA的H．264标准的CAVLC编解码器，程序代码用verilog硬件描述语言编写，并在QuartusⅡ中进行了仿真验证，可以实现对每个残差块数据的编解码并将其按照宏块光栅扫描的顺序输出到存储器，因此适合于嵌入在最终的码流中。仿真结果表明此CAVLC编解码器达到H．264标准中基本档次和扩展档次level3．0的性能要求。     

高校摄录编播设备数字化改造探析

为了用有限的资金建设一个高标准、现代化的适合高校现代教育技术需要的数字化摄录编播系统，结合实际，详细介绍一种适合高校重大事件记录、课件制作及教学片拍摄、可以满足高校多种需求的数字化摄录编播设备的合理化配置。     

有线电视系统工程的招标

针对有线电视系统工程建设的特点，依照《招标投标法》的规定和程序，对有线电视系统工程招标的种类、招标方式、招标工程必备的条件、标底的编制及审定、开标、评标和中标的原则进行详细介绍，对招标文件的编制进行具体说明。     

半导体量子点中极化子的有效质量

研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变化.对RbCl晶体量子点进行了数值计算,结果表明,量子点受限越强,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加,当达到极值后,随受限强度的增加而急剧减少     

Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies

In this paper, we review some of the advantages and disadvantages of nickel silicide as a material for the electrical contacts to the source, drain and gate of current and future CMOS devices. We first present some of the limitations imposed on the current cobalt silicide process because of the constant scaling, of the introduction of new substrate geometries (i.e. thin silicon on insulator) and of the modifications to the substrate material (i.e. SiGe). We then discuss the advantages of NiSi and for each of the CoSi₂ limitations, we point out why Ni is believed to be superior from the point of view of material properties, miscibility of phases and formation mechanisms. Discussion follows on the expected limitations of NiSi and some of the possible solutions to palliate these limitations.     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.