三维配位聚合物[Zn(HCO2)2(4,4''''-bipy)]∞的合成、晶体结构及性质研究

以ZnO,HCO_2H及4,4'-bipy(摩尔比1∶3∶1.25)溶于H_2O和DMF(体积比13∶1),并在60℃反应,合成了标题化合物[Zn(HCO_2)_2(4,4'-bipy)]_∞,对其进行了元素分析、红外光谱等表征,并测定了晶体结构.该化合物晶体属四方晶系,P4_32_12空间群,a=b=0.79675(5)nm,c=1.7627(2)nm,V=1.1190(3)nm~3,Z=4,Dc=1.850g/cm3,M_r=311.60,F(000)=632,μ=22.07cm-1,最终偏离因子R1=0.0183和wR_2=0.0483.该化合物中Zn原子和两个4,4'-bipy的N原子和四个甲酸根的O原子配位,形成的ZnN_2O_4八面体通过4,4'-bipy和甲酸根桥联,组成一种新颖的3D网络结构.同时,研究了该化合物的热性质和荧光性质.     

新颖双核钐硫酚化合物[(THF)3I2Sm(m-SAr)]2 (Ar = Ph, 4-Me2NC6H4)的合成与化合物[(THF)3I2Sm(m-S-4-Me2NC6H4)]2的晶体结构

Reactions of SmI2 in THF with ArSSAr produced two binuclear samarium thiolate complexes [（THF）3I2- Sm（μ-SAr）]2 [Ar=Ph （1）, 4-Me2NC6H4 （2）] in high yields. The structure of 2 was characterized by single crystal X-ray crystallography. The crystal of 2 belongs to the triclinic system with space group P 1 and a=0.95705（13） nm, b= 1.22287（14） nm, c= 1.26450（14） nm, a=64.194（11）°, B=78.491（13）°, y=76.176（12）°, V= 1.2860（3） nm^3, Z= 1,μ=4.783 mm^-1, Dc= 1.964 Mg/m^3, M= 1521.19, S= 1.046, R1=0.0358, wR2=0.0910. X-ray analysis revealed that 2 is a thiolate-bridged dimer in which each Sm atom adopts a distorted pentagonal bipyramidal coordi- nation geometry.     

高核Ag/S纳米团簇合成的研究进展

硫醇配体保护的高核银纳米团簇具有丰富的结构和性能, 在光致发光、 生物传感、 纳米材料等方面具有广阔的应用前景. 然而, 精确控制高核Ag/S纳米团簇的尺寸和结构面临着巨大的挑战, 构建高核Ag/S纳米团簇的可行策略也一直是人们关注的焦点. 近年来, 随着合成方法和表征技术的不断发展, 高核Ag/S纳米团簇的合成和性能研究方面均取得了显著的成就. 本文总结了含20个或以上Ag原子的Ag/S纳米团簇的合成方法(直接还原法、 阴离子模板法及配体交换法), 对部分高核Ag/S纳米团簇的结构进行了探讨, 并展望了未来研究的趋势.     

醋酸纤维素/PET接枝共聚物的制备及性能

以低数均分子量的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、二醋酸纤维素(CDA)为原料,异孚尔酮二异氰酸酯(IPDI)为接枝剂,二月桂酸二丁基锡(DBTDL)和离子液体1-丁基-3-甲基咪唑氯盐为催化剂制备得到新型的接枝共聚物CDA-g-PET。对接枝过程进行了优化,研究了催化剂种类与接枝剂用量对接枝过程的影响,利用红外分析和广角X射线衍射分析探究了接枝机理。同时对CDA-g-PET膜进行力学性能测试,探讨了PET的加入量对CDA-g-PET膜力学性能的影响。结果表明:PET通过化学键连接接枝到CDA上,接入的PET降低了CDA的结晶性;采用DBTDL与离子液体作为联合催化剂,接枝时间由7d缩短至8h;当接枝剂IPDI的加入量,即n(IPDI)/n(PET)为1.05~1.10时CDA-g-PET无交联;随着PET含量的增加,CDA-g-PET膜与CDA膜相比拉伸强度仅降低6.55%~27.24%,断裂伸长率增加149.89%~177.81%。     

线形天线阵的单位圆上零点分布的一个普遍函数

在本文中,作者提出了与线形天线阵辐射图形中零点相对应的复量多项式的根在复数面中单位圆上的一个分布函数,它比作者在前一篇论文中所提出的分布函数有更普遍的意义。这个普遍函数是:ψ_K=ψ₀{1+ξK^{((ln(ψ_m/ψ₀-1)-lnξ)/(ln m))}}.当ψ₀和ξ被适当地选择时,这个普遍函数所代表的天线阵将包括以下各式天线阵作为特例:(1)均匀横射式天线阵;(2)均匀端射式天线阵;(3)谢昆诺夫天线阵;(4)道尔夫-捷比谢夫天线阵当阵中单元数不超过7时。但是,应用所提出的分布函数并当合理地选择ψ₀和ξ时,却可以改善以上各式天线阵,尤其在压小主瓣附近的旁瓣方面。这一情况是具有重大实用意义的。此外,因为天线阵中各单元的场强或其方向图中的旁瓣一般都随着离开主瓣的角距的增加而下降的,所以为了使天线阵的总方向图有均等或接近均等的小的旁瓣(这是具有实用意义的),就必须设计一个由均匀辐射器所组成的天线阵,它有随着离开主瓣的角距的增加而上升的小的旁瓣。利用谢昆诺夫的分布或道尔夫-捷比谢夫的分布都不能达到此目的,但是应用所提出的分布函数却可以办到。计算结果证实了上述各点。在本文中,作者还将代表各式天线阵的多项式的乘积形式加以展开,从而将其中的系数化为显式以便于阵中各单元上相对电流的计算。     

一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源

设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比(PTAT)的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0~100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1~2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。     

4G关键技术研究

随着用户对移动通信系统的速率要求不断提高,3G系统实际所能提供的最高速率已不能满足未来市场的实际需求,因而在3G系统还没有大规模投入商用的情况下,国内外移动通信领域的专家已经在进行4G系统的研究和开发工作.4G是多功能集成的宽带移动通信系统,具有许多关键优势,因而已成为移动通信领域的研究热点.文章给出了4G的体系结构,并对4G相关技术的原理进行了详细分析.     

TG12864B液晶显示器及其应用

描述了TG12864B的功能特点和MB90F594A的主要性能,详细分析了TG12864B的接口时序,并采用软件模拟方法实现了TG12864B与MB90F594A的接口技术。     

分布式反馈激光器调制特性研究

为了深入了解分布式反馈激光器（DFB）的发光机理与调制特性,通过理论分析和实验对DFB的调谐特性进行了研究。得到FITEL和JDS Uniphase两款激光器调制电流与输出中心波长的对应关系和两种确定系数不同的拟合方程,证明了这两款DFB激光器在实际应用中存在非线性关系。结果表明,FITELFRL15DCWD-A82激光器的3dB带宽与驱动电流幅值关系为3.715pm/mA;该调制结果优化了该激光器的可用相干长度,并验证了驱动信号频率变化不影响3dB光谱宽度。对DFB激光器低频调制特性的定量分析结果可为相干检测系统驱动电路设计提供实验依据。