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研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2. 相似文献
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主要介绍了一个引理,这个引理奠定了K4-同胚图K4(α,1,1,δ,ε,η)色性研究的基础。 相似文献
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一种新的加权最小二乘测距定位方法 总被引:8,自引:0,他引:8
三站二维定位问题是最小定位问题,一般只利用几何关系就能获得定位估计,但由于未利用距离测量的统计信息,定位精度较差。该文先将点到点的距离测量转化为点到线的距离估计,再在此基础上推导出一种新的加权几休定位方法,其中加权的确定利用了距离测量的统计信息。仿真实验表明,在测距误差较小时新方法具有更高的定位精度。 相似文献
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H.‐C. Su F.‐C. Fang T.‐Y. Hwu H.‐H. Hsieh H.‐F. Chen G.‐H. Lee S.‐M. Peng K.‐T. Wong C.‐C. Wu 《Advanced functional materials》2007,17(6):1019-1027
Highly efficient orange and green emission from single‐layered solid‐state light‐emitting electrochemical cells based on cationic transition‐metal complexes [Ir(ppy)2sb]PF6 and [Ir(dFppy)2sb]PF6 (where ppy is 2‐phenylpyridine, dFppy is 2‐(2,4‐difluorophenyl)pyridine, and sb is 4,5‐diaza‐9,9′‐spirobifluorene) is reported. Photoluminescence measurements show highly retained quantum yields for [Ir(ppy)2sb]PF6 and [Ir(dFppy)2 sb]PF6 in neat films (compared with quantum yields of these complexes dispersed in m‐bis(N‐carbazolyl)benzene films). The spiroconfigured sb ligands effectively enhance the steric hindrance of the complexes and reduce the self‐quenching effect. The devices that use single‐layered neat films of [Ir(ppy)2sb]PF6 and [Ir(dFppy)2sb]PF6 achieve high peak external quantum efficiencies and power efficiencies of 7.1 % and 22.6 lm W–1) at 2.5 V, and 7.1 % and 26.2 lm W–1 at 2.8 V, respectively. These efficiencies are among the highest reported for solid‐state light‐emitting electrochemical cells, and indicate that cationic transition‐metal complexes containing ligands with good steric hindrance are excellent candidates for highly efficient solid‐state electrochemical cells. 相似文献
47.
Dongming Peng Mi Lu 《Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on》2005,13(1):106-125
Although the notion of the parallelism in multidimensional applications has existed for a long time, it is so far unknown what the bound (if any) of inter-iteration parallelism in multirate multidimensional digital signal processing (DSP) algorithms is, and whether the maximum inter-iteration parallelism can be achieved for arbitrary multirate data flow algorithms. This paper explores the bound of inter-iteration parallelism within rate-balanced multirate multidimensional DSP algorithms and proves that this parallelism can always be achieved in hardware system given the availability of a large number of processors and the interconnections between them. 相似文献
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A G 4.0 dendrimer-like poly (amido amine) (PAMAM) based on silica nanoparticles was fabricated via a divergent approach.It was built from γ-aminopropyi silica nanoparfides (APSN) core via repetitive addition of acrylate (MA) and hexylenediamine (HDA). FT-IR and EA were used to monitor the progress of dendrimer during each step. The amino group content of the resulting product increased from 0.49 to 3.72 mmol/g after the 4th generation. In addition, the percentage of grafting increased with increasing generation and reached to 65.9% after 4th generation. It was found that the resulting silica nanoparticles could be dispersed in methanol with a mean hydrodynamic particle diameter of 152.7 nm although the silica nanoparticles had agglomerated during the storage period. 相似文献
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Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature
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Hydrogen-free silicon nitride (SiNx) films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance (MW-ECR) plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm. 相似文献