高核Ag/S纳米团簇合成的研究进展

硫醇配体保护的高核银纳米团簇具有丰富的结构和性能, 在光致发光、 生物传感、 纳米材料等方面具有广阔的应用前景. 然而, 精确控制高核Ag/S纳米团簇的尺寸和结构面临着巨大的挑战, 构建高核Ag/S纳米团簇的可行策略也一直是人们关注的焦点. 近年来, 随着合成方法和表征技术的不断发展, 高核Ag/S纳米团簇的合成和性能研究方面均取得了显著的成就. 本文总结了含20个或以上Ag原子的Ag/S纳米团簇的合成方法(直接还原法、 阴离子模板法及配体交换法), 对部分高核Ag/S纳米团簇的结构进行了探讨, 并展望了未来研究的趋势.     

咪唑对碳酸钙晶型和形貌的调控研究

120 ℃下,分别在水、DMF/H2O(DMF:N, N-二甲基甲酰胺)、CH3CH2OH/H2O体系中,利用咪唑调控合成CaCO3,并采用XRD、FT-IR、SEM对反应产物进行了表征,研究了咪唑浓度、溶剂和阴离子对CaCO3晶型和形状的影响.研究表明:在水体系,CaAc2为钙源物,没有咪唑时,形成棒状的文石晶体;当咪唑的浓度分别是50;、60;、70;时,得到的产物分别是方解石和球霰石、文石和方解石的混合物、纯的方解石晶体;在120 ℃条件下,60;咪唑的DMF/H2O(v/v=3:2)、CH3CH2OH/H2O(v/v=3:2)体系中合成的CaCO3分别是球霰石和文石的混合物、纯的文石;同样在60;咪唑的水体系中,钙源物为CaCl2和Ca(NO3)2时,生成的晶体是文石和方解石的混合体,但粒子形状不同.实验结果表明,咪唑的浓度、溶剂和阴离子都对CaCO3的晶型和形貌都有影响.     

EPON技术原理

EPON(以太网无源光网络)是面向下一代网络的接入技术,它是一个多业务平台,可以同时提供具有QoS(服务质量)保证的IP(互联网协议)业务和传统TDM(时分多路复用)业务.因此,采用EPON技术,运营商不仅可以在同一传输平台上根据用户的需要随时开通多种业务,而且易于向全IP业务网络过渡,为此介绍了EPON的体系结构,分析了EPON的上行链路和下行链路的传输原理.     

中性人乳寡糖的分离及结构鉴定

以脱脂、除蛋白后的人乳为原料,联合运用阴离子交换色谱(AEC)、凝胶渗透色谱(GPC)和多孔石墨化碳色谱(PGC)等多种分离纯化技术制备了18种中性人乳寡糖,并采用电喷雾碰撞诱导串联质谱(ESI-CIDMS/MS)技术对其结构进行了鉴定.结果表明,所制备的中性人乳寡糖主要为三至九糖,含有半乳糖(Gal)、葡萄糖(Glc)、N-乙酰葡萄糖胺(GlcNAc)和岩藻糖(Fuc).所有寡糖的还原端均含有乳糖核心(Galβ1-4Glc),非还原端均含有乳糖胺(Galβ1-3/4GlcNAc),并且Fuc以α1-2,α1-3和α1-4连接于主链的Gal,Glc和GlcNAc上.     

An experimental 75 GHz gyrotron

An experimental 75 GHz gyrotron has been designed and manufactured in our research institute. There are two different types of tube operating at the TE₅₂₁ ^○ and TE₀₄₁ ^○ modes, respectively, and at the second harmonic. A laminar flow magnetron injection gun is used so that the velocity spread due to the space-charge effect is greatly reduced.     

SMT／BGA返修的加热方式辐射还是对流

如今市场上SMT/BGA返修系统皆采用定位于返修元件顶部和底部的加热器设计。而加热器的加热原理可分为辐射和对流两类,重点讨论底部加热器(也称"预热器")及应用。此外,对于在无铅环境下主流的加热方式,红外加热和对流加热,尤其是对流加热和双区对流加热进行了详尽的描述,对流加热可提高返修的成功率和产品的可靠性。     

线形天线阵的单位圆上零点分布的一个普遍函数

在本文中,作者提出了与线形天线阵辐射图形中零点相对应的复量多项式的根在复数面中单位圆上的一个分布函数,它比作者在前一篇论文中所提出的分布函数有更普遍的意义。这个普遍函数是:ψ_K=ψ₀{1+ξK^{((ln(ψ_m/ψ₀-1)-lnξ)/(ln m))}}.当ψ₀和ξ被适当地选择时,这个普遍函数所代表的天线阵将包括以下各式天线阵作为特例:(1)均匀横射式天线阵;(2)均匀端射式天线阵;(3)谢昆诺夫天线阵;(4)道尔夫-捷比谢夫天线阵当阵中单元数不超过7时。但是,应用所提出的分布函数并当合理地选择ψ₀和ξ时,却可以改善以上各式天线阵,尤其在压小主瓣附近的旁瓣方面。这一情况是具有重大实用意义的。此外,因为天线阵中各单元的场强或其方向图中的旁瓣一般都随着离开主瓣的角距的增加而下降的,所以为了使天线阵的总方向图有均等或接近均等的小的旁瓣(这是具有实用意义的),就必须设计一个由均匀辐射器所组成的天线阵,它有随着离开主瓣的角距的增加而上升的小的旁瓣。利用谢昆诺夫的分布或道尔夫-捷比谢夫的分布都不能达到此目的,但是应用所提出的分布函数却可以办到。计算结果证实了上述各点。在本文中,作者还将代表各式天线阵的多项式的乘积形式加以展开,从而将其中的系数化为显式以便于阵中各单元上相对电流的计算。     

一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源

设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比(PTAT)的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0~100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1~2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。     

4G关键技术研究

随着用户对移动通信系统的速率要求不断提高,3G系统实际所能提供的最高速率已不能满足未来市场的实际需求,因而在3G系统还没有大规模投入商用的情况下,国内外移动通信领域的专家已经在进行4G系统的研究和开发工作.4G是多功能集成的宽带移动通信系统,具有许多关键优势,因而已成为移动通信领域的研究热点.文章给出了4G的体系结构,并对4G相关技术的原理进行了详细分析.     

TG12864B液晶显示器及其应用

描述了TG12864B的功能特点和MB90F594A的主要性能,详细分析了TG12864B的接口时序,并采用软件模拟方法实现了TG12864B与MB90F594A的接口技术。