首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2127篇
  免费   377篇
  国内免费   441篇
化学   916篇
晶体学   31篇
力学   92篇
综合类   47篇
数学   152篇
物理学   514篇
无线电   1193篇
  2024年   16篇
  2023年   44篇
  2022年   73篇
  2021年   104篇
  2020年   62篇
  2019年   71篇
  2018年   68篇
  2017年   80篇
  2016年   73篇
  2015年   84篇
  2014年   121篇
  2013年   148篇
  2012年   148篇
  2011年   146篇
  2010年   166篇
  2009年   172篇
  2008年   173篇
  2007年   199篇
  2006年   177篇
  2005年   169篇
  2004年   93篇
  2003年   80篇
  2002年   75篇
  2001年   54篇
  2000年   62篇
  1999年   50篇
  1998年   45篇
  1997年   29篇
  1996年   33篇
  1995年   20篇
  1994年   16篇
  1993年   11篇
  1992年   24篇
  1991年   11篇
  1990年   11篇
  1989年   7篇
  1988年   4篇
  1987年   2篇
  1986年   3篇
  1985年   3篇
  1984年   4篇
  1983年   1篇
  1982年   3篇
  1980年   1篇
  1978年   2篇
  1977年   1篇
  1975年   1篇
  1965年   4篇
  1936年   1篇
排序方式: 共有2945条查询结果,搜索用时 0 毫秒
151.
化学机械抛光是集成电路制造工艺中十分精密的技术。在本文中,为了改善抛光效果,分表讨论了非离子表面活性剂和氧化剂在CMP过程中作用。我们主要分析了非离子表面活性剂对片内非均匀性和表面粗糙度的影响。同时,我们从静态腐蚀速率、电化学曲线和剩余高低差的角度,讨论了在不加BTA条件下,不同氧化剂浓度的抛光液的钝化特性。实验结果明显地表明:加入了非离子表面活性剂的抛光液,更有利于改善抛光后的片内非均匀性和表面粗糙度,并确定2vol%体积分数是比较合适的浓度。当抛光液中氧化剂浓度超过3vol%,抛光液拥有较好的钝化能力,能够有效减小高低差,并有助于获得平整和光滑的表面。根据这些实验结果,非离子表面活性剂和氧化剂的作用进一步被了解,将有助于抛光液性能的改善。  相似文献   
152.
铝硅合金膜在MEMS电容式开关中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
对几种可用于MEMS电容式开关中的弹性薄膜材料进行了分析,含硅4%的轻质量铝合金具有较佳的性能。应用该弹性膜制备了微波MEMS电容式开关,实验结果表明,开关具有较低的激励电压,约为28V,在10GHz处的隔离度大于15dB。  相似文献   
153.
基于煤矿监测的低功耗无线传感器节点的研究与设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
无线传感器网络是通过无线通信方式形成的一个多跳自组织网络.传感器节点是无线传感器网络的基本单元,节点设计的好坏直接影响到整个网络的质量.为满足无线传感器网络可靠性和持久性的要求,尽可能地降低传感器节点的功耗成为设计的核心要素.通过对节点功耗的分析研究,选择以MSP430 F149作为处理器的传感器,满足了低功耗设计要求,可以实现无线传感器在煤矿监测以及复杂地理环境下的应用.  相似文献   
154.
对0.5 μm SOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数.根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSIMproPlus软件中的BSIMSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数.对于部分耗尽SOI器件的固有浮体效应和kink效应,采用体接触方法来缓解其负...  相似文献   
155.
在分析常规带隙基准电路的基础上,设计了一种带曲率补偿可调节的带隙基准电压电路,并且具有良好的温度系数。电路设计和仿真工具使用Cadence的Spectre。采用SMIC标准0.25μmCMOS工艺。电路中包含的运放为两级放大电路,开环增益为85dB。带隙基准电压电路采用并联电阻的简单电路实现了有效的曲率补偿,在2.5V工作电压下,-25~125℃,TC=3.10ppm/℃,功耗为0.859mW。电路也可以在1.2V电压下工作,-25~125℃,TC=5.34ppm/℃,功耗为0.36mW。  相似文献   
156.
江西信丰恐龙蛋化石碎片的显微喇曼光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文分别采取两种激光波长激发(514.5nm和785nm),首次利用激光显微喇曼光谱对江西信丰的恐龙蛋化石碎片进行了研究。我们发现恐龙蛋化石的主要矿物成分是方解石。其次,某些样品中还含有少量的石英、α-石英和赤铁矿,其中石英晶体仅分布于蛋壳内表面。显微镜下观察到蛋壳内表面呈黑色的原生方解石以及银白色的次生方解石颗粒,另外,还观测到石英晶体颗粒。近红外激光激发下的喇曼光谱中出现了一些有机物的谱峰,它们分别位于1200cm-1、1300cm-1,和1500cm-1附近。该研究结果为揭示恐龙蛋石化过程中经历的地质环境提供了重要的依据。  相似文献   
157.
以对硝基甲苯、3, 4-二甲氧基苯甲醛为起始原料,经过缩合,还原,重氮化水解,亲核取代反应,最终合成了新的化合物4-[(E)-2-(3, 4-二甲氧基苯基)乙烯基]苯氧基乙酸乙酯,用1H 和13C NMR及多种二维核磁共振谱确定了该化合物的结构,完成了1H 和13C NMR的归属,给出了分子中各氢,碳原子的准确化学位移.  相似文献   
158.
500 V体硅N-LDMOS器件研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。  相似文献   
159.
详细阐述了LTE FDD系统上下行链路预算方法、参数取值、如何基于链路预算得到的MAPL估算小区覆盖半径和单站覆盖面积,还通过链路预算和小区覆盖半径估算实例明确了LTE FDD系统链路预算及覆盖估算需关注的若干问题。  相似文献   
160.
考虑多式联运路径上运输方案选择问题,建立了降低运输总成本和缩短运输总时间的多目标数学模型,通过加权两个目标函数,设计新的和声生成方式及微调方式,采用新和声竞争式替换记忆库中最差和声的方式,提出一种基于字符编码方式的和声搜索算法,最后用示例验证了算法的有效性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号