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Matthew J. Stolt Sebastian Schneider Nitish Mathur Melinda J. Shearer Bernd Rellinghaus Kornelius Nielsch Song Jin 《Advanced functional materials》2019,29(12)
Magnetic skyrmions are topologically protected spin textures that are being investigated for their potential use in next generation magnetic storage devices. Here, magnetic skyrmions and other magnetic phases in Fe1?xCoxGe (x < 0.1) microplates (MPLs) newly synthesized via chemical vapor deposition are studied using both magnetic imaging and transport measurements. Lorentz transmission electron microscopy reveals a stabilized magnetic skyrmion phase near room temperature (≈280 K) and a quenched metastable skyrmion lattice via field cooling. Magnetoresistance (MR) measurements in three different configurations reveal a unique anomalous MR signal at temperatures below 200 K and two distinct field dependent magnetic transitions. The topological Hall effect (THE), known as the electronic signature of magnetic skyrmion phase, is detected for the first time in a Fe1?xCoxGe nanostructure, with a large and positive peak THE resistivity of ≈32 nΩ cm at 260 K. This large magnitude is attributed to both nanostructuring and decreased carrier concentrations due to Co alloying of the Fe1?xCoxGe MPL. A consistent magnetic phase diagram summarized from both the magnetic imaging and transport measurements shows that the magnetic skyrmions are stabilized in Fe1?xCoxGe MPLs compared to bulk materials. This study lays the foundation for future skyrmion‐based nanodevices in information storage technologies. 相似文献
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By means of spectrophotometric measurements, a method has been established for the determination of bismuth in 20% hydrobromic acid solution, at maximum absorption of 370 — 380 mμ.An Elko-II apparatus is used with condenser UV II, filter S38E and a mercury lamp. The Lambert-Beer law is followed for strengths of 1 — 15 μg Bi/ml. Using a calibration curve, it is possible to determine up to 100 μg/ml. The extinction of bismuth tribromide immediately attains a constant value, it does not vary between 15 and 30° C. 相似文献
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Walter Nielsch und Gerhard Böltz 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1954,142(2):109-114
Zusammenfassung Es wird gezeigt, daß konzentrierte Bromwasserstoffsäure mit Zinn-(IV)-bromid eine Gelbfärbung ergibt. Das Absorptionsmaximum dieser Färbung erstreckt sich von 200–330 m. Photometrische Messungen mit dem Filterphotometer Elko II mit Hilfe der Quecksilberliniengruppe bei 366 m (UV-Kondensor II, Quecksilberbrenner und Filter S 38E) haben ergeben, daß eine exakte photometrische Zinnbestimmung möglich ist. Die Extinktion der Lösung ist von der Konzentration der Bromwasserstoffsäure abhängig, so daß es erforderlich ist, bei gleichbleibender Bromwasserstoffsäurekonzentration zu arbeiten. Sehr kleine Mengen Phosphorsäure stören nicht, während Salz- und Schwefelsäure abwesend sein müssen. Die Färbung ist sofort nach dem Auffüllen mit Bromwasserstoffsäure konstant und bleibt dies auch tagelang. Das LAMBERT-BeERsche Gesetz ist sehr streng im Bereich von 8 g Zinn/ml bis 1200 g Zinn/ml unter den gewählten Reaktions- und Meßbedingungen erfüllt. 相似文献
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Zusammenfassung Es wird gezeigt, da\ man Kupfer nach Überführung in das komplexe, blau gefärbte Äthylendiamintetraacetat, dessen Extinktionsmaximum zwischen 700 und 750 m liegt, photometrisch bestimmen kann. Die Extinktion des Komplexes ist bei gleicher Kupferkonzentration vompH-Wert abhängig. Die photometrische Bestimmung des Kupfers kann sowohl im sauren als auch im alkalischen. Bereich durchgeführt werden, jedoch sind hierzu getrennte Eichkurven notwendig. Die Färbung des jeweiligen Kupferkomplexon-Komplexes ist unabhängig von den Säuren, die zum Lösen des Kupfers Verwendung gefunden haben oder im Laufe des Analysenganges zusätzlich in die Lösung gekommen sind. Auch haben die verschiedensten Puffersalzgemische einschlie\lich der Ammoniumverbindungen zur Einstellung desph-Wertes keinen Einflu\ auf die Ausbildung der Extinktion. Das Lambert-Beersche Gesetz ist im sauren Gebiet beiph=4,75–6,50 für Kupferkonzentrationen von 0,035 bis 3,60 mg Kupfer/ml erfüllt. Im alkalischen Bereich bei einemph-Wert von etwa 10,0 ist das Lambert-Beersche Gesetz in einem Konzentrationsbereich von 0,08–8,0 mg Kupfer/ml gültig. Das flache Extinktionsmaximum im Bereich von 700–750 m, schafft die Voraussetzungen, mit einem geeigneten Filterphotometer und passenden Filtern sehr genaue Messungen der Durchlässigkeit durchzuführen. Da die Äthylendiamintetraessigsäure auch mit anderen Metallen teils ungefärbte, teils gefärbte Komplexverbindungen bildet, die sämtlich wasserlöslich sind, ist das beschriebene Bestimmungsverfahren für die technische Analyse von sehr vielen Legierungen bestens geeignet. Es ist allen bisher bekannten Verfahren, die Kupfer im gleichen Konzentrationsbereich photometrisch zu bestimmen gestatten, durch die geringe Störanfälligkeit wesentlich überlegen.Jetzt: Riedel-De Haën Aktiengesellschaft, Chemische Fabriken, Seelze b. Hann.Die Verfasser danken Herrn Hüttendirektor Dr. Gossmann für die Erlaubnis, die vorstehenden Ergebnisse veröffentlichen zu dürfen. 相似文献
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Walter Nielsch und Gerhard Böltz 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1955,144(6):401-406
Ohne Zusammenfassung 相似文献
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Walter Nielsch und Gerhard Böltz 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1954,143(3):161-167
Ohne Zusammenfassung 相似文献
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Emre Yarali Christina Koutsiaki Hendrik Faber Kornelius Tetzner Emre Yengel Panos Patsalas Nikolaos Kalfagiannis Demosthenes C. Koutsogeorgis Thomas D. Anthopoulos 《Advanced functional materials》2020,30(20)
Over the past few decades, significant progress has been made in the field of photonic processing of electronic materials using a variety of light sources. Several of these technologies have now been exploited in conjunction with emerging electronic materials as alternatives to conventional high‐temperature thermal annealing, offering rapid manufacturing times and compatibility with temperature‐sensitive substrate materials among other potential advantages. Herein, recent advances in photonic processing paradigms of metal‐oxide thin‐film transistors (TFTs) are presented with particular emphasis on the use of various light source technologies for the photochemical and thermochemical conversion of precursor materials or postdeposition treatment of metal oxides and their application in thin‐film electronics. The pros and cons of the different technologies are discussed in light of recent developments and prospective research in the field of modern large‐area electronics is highlighted. 相似文献