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Yu. V. Pokonova 《Russian Journal of Applied Chemistry》2007,80(12):2163-2164
Kinetic, sorption and selectivity properties of commercial adsorbents are improved by adding petroleum residues (tar asphaltene concentrates) 13% of whole mass. Obtained adsorbents can be used for selective extraction of nobel metals from multicomponent polymetallic solutions of heavy metals and fro sewages purification for removing arsenic. 相似文献
102.
103.
近两年.IP电话又叫网络电话的发展受到全球的关注。随着宽带接入的发展,基于宽带接入提供的网络电话具有了更大的生命力。从宽带电话的经营模式出发,探究这类业务的出现时现有话音业务市场的影响,进而分析这类业务的发展前景。 相似文献
104.
105.
106.
介绍数字正交上变频器AD9857的原理、功能和基本使用方法以及如何通过单片机8051实现对它的编程控制。 相似文献
107.
108.
D. G. Pavel’ev N. V. Demarina Yu. I. Koshurinov A. P. Vasil’ev E. S. Semenova A. E. Zhukov V. M. Ustinov 《Semiconductors》2004,38(9):1105-1110
Characteristics of ohmic InGaAs contacts in planar diodes based on semiconductor superlattices with a small-area active region
(1–10 μm2) are studied. The diodes were formed on the basis of short (18 or 30 periods) heavily doped (1018 cm−3) GaAs/AlAs superlattices with a miniband width of 24.4 meV. The reduced resistance of the ohmic contact was equal to 2×10−7 Ω cm2 at room temperature. It is shown that the properties of fabricated planar diodes make it possible to use these diodes later
on in semiconductor devices that operate in the terahertz frequency region in a wide temperature range (4–300 K).
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Translated from Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, Vol. 38, No. 9, 2004, pp. 1141–1146.
Original Russian Text Copyright ? 2004 by Pavel’ev, Demarina, Koshurinov, Vasil’ev, Semenova, Zhukov, Ustinov. 相似文献
109.
110.
E. A. Gurieva P. P. Konstantinov L. V. Prokof D. A. Pshenaĭ-Severin M. I. Fedorov Yu. I. Ravich 《Semiconductors》2006,40(7):763-767
The coefficients of thermopower and electrical and thermal conductivity in the PbTe0.8Se0.1 S 0.1 solid solution with electron concentration (4.6–54) × 1018 cm?3 are studied in the range of 85–300 K (and in some cases up to 700 K). The temperature dependences of electrical and thermal conductivity indicate that the low-temperature electron and phonon scattering initiated by the off-center impurity of sulfur exists. The temperature dependences of the electronic and lattice components of thermal conductivity are calculated in the approximation of a parabolic spectrum and electron scattering by acoustic phonons and neutral substitutional impurities. The lattice thermal conductivity is found to have a feature in the form of a shallow minimum in the range of 85–250 K. A similar feature, while not so clearly pronounced, is found to exist also in Pb1?x SnxTe1?x Sex alloys (x≥0.15) with an off-center tin impurity. An analysis of the possible origins of this effect suggests that, at low temperatures, the Lorentz numbers L of the materials under study are smaller than the L0 numbers employed which correspond to the above scattering mechanisms. The cause of the decrease in L is related to electron scattering at two-level systems, a mechanism whose effect grows with increasing electron energy. An analysis of experimental data obtained at high temperatures, as well as on undoped samples with the lowest possible carrier concentrations, yields the values of L for samples with different electron densities. The minimum value L/L0 = 0.75 is obtained for a lightly doped sample at ~130 K. 相似文献