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用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
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采用现代高频功率变换技术的有源功率因数校正(Power Factor Corrector,PFC)技术是解决高频开关变换器谐波污染的有效手段。与传统的PFC电路相比,有源PFC电路的输入电流接近正弦波且与输与电压同相位,能有效抑制电流波形畸变和谐波,因此避免了对同一电网设施的干扰。在PFC电路中,Boost变换器是研究和应用得最多的一种变换器。本文着重分析了Boost电路在不连续导电模式状态下,PFC电路的临界条件,对实际电路结构的设计有很好的指导意义。 相似文献
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基于同步辐射加速器的康普顿背散射γ射线源(Ⅰ)产生MeV量级γ光子的数值计算 总被引:1,自引:0,他引:1
提出在筹建的上海同步辐射装置上建造一条MeV量级γ射线束及应用站,采用μm波长的红外(或远红外)激光与储存环中3.5GeV电子束进行康普顿背散射,从而获得能区为1—25MeV的康普顿背散射γ光子束,该光子束具有高强度、高极化度(线和圆极化)、准单色、方向性好的优点,可以广泛地应用于核物理和核天体物理基础研究及相关的应用研究领域.介绍了康普顿背散射的基本原理,并结合储存环参数给出了光子束性能的数值计算结果. 相似文献
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3 中美纳米技术经费支持对比
3.1 美国
NNI计划出台之前,美国政府对纳米技术研发的投入力度并不算大,如1997年投入约为1.16亿美元,比日本政府的投入(1.20亿美元)稍低,但也比除日和西欧国家之外的其他国家(包括中国、加拿大、澳大利亚、韩国、新加坡以及前苏联各共和国等)政府投入的总和(约0.71亿美元)高得多:NNI计划出台之后,美国政府对纳米技术研发的投入大幅度增加。2001年,美国政府纳米技术研发投入从2000年的2.70亿美元增加到4.22亿美元,净增1.52亿美元,年增幅达56.3%;2002年度美国政府的纳米技术投入预算为5.189亿美元,比2001年度约增长了23%。这种高增幅在美国政府其他方面的预算中并不多见。 相似文献
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能谱法和催化光度法测定无机纤维中铁含量的比较研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了铁(Ⅲ)在酸性介质中催化抗坏血酸(Vc或H2A)还原4-硝基-3’-甲基-氨基偶氮苯的褪色反应,拟定了反应的最佳条件,探讨了反应机理,建立了催化动力学测定痕量铁的新方法,该方法的检出限为2.98×10~(-11)g·mL-1,线性范围为0-200 ng·(25 mL)-1。比较了X射线能量色散谱法和催化光度法在玄武岩纤维样品中铁含量的测定,结果误差为2.89%。 相似文献