基于散斑干涉的光滑表面变形快速检测

针对目前光滑表面力学性能测试困难的情况,建立了一种改进的数字激光散斑干涉测量系统。首先通过新的散斑干涉光路设计实现散斑照射,同时采用空间载波傅里叶变换法,对光滑零件加载变形的动态散斑干涉图像进行处理,最后得到光滑表面的变形场分布情况。该方法不对被测表面进行任何处理,可实现光滑表面的高精度全场变形测量。实验结果表明:最大变形处为镜面板的中央,测得最大变形量分别为1.936、1.861和1.797μm,与中心变形预设值接近。该方法光路简单、测量方案切实可行,能够实现光滑表面变形的快速动态测量。     

高温下数字图像相关散斑最优成像探究

为了测量材料在高温甚至超高温下的力学性能,采用数字图像相关方法,并研究其在高温下的最优成像。采取不同的散斑制作方法,同时加入不同颜色的高温漆,在不同的温度节点,外加不同光源及相应的滤波片,采集并观察图像是否具有良好的对比度。普通的单色光源在800℃以后会逐渐失效,无法获取图像,而紫外光在1 200℃时依然可以获取较好的图像,且直接利用试件本身颜色作为底色效果更佳。采用紫外光照明可以实现DIC在高温环境下的测量。同时利用黑色或者蓝色散斑直接喷涂在试件上有着最佳的对比度,要优于常规的散斑制作方法。     

网络结构、采纳者偏好与创新扩散:基于采纳者决策过程的创新扩散系统动力学模型仿真分析

在对采纳者决策过程分析的基础上,将网络结构和采纳者偏好作为核心参数,构建基于采纳者决策过程的创新扩散系统动力学模型。对模型进行仿真发现,在采纳者趋同化偏好条件下,网络平均度、网络重连概率与采纳者偏好强度的变动趋势与创新扩散效率的变动趋势相同,而在采纳者差异化偏好条件下则与创新扩散效率变动趋势相反。网络平均路径长度对创新扩散的影响方向与采纳者偏好特征无关,提高网络平均路径长度会始终降低创新扩散的效率。采纳者的趋同化偏好能够放大创新扩散对网络结构变量与采纳者偏好强度变量的敏感程度,采纳者差异化偏好则会缩小创新扩散对网络结构变量与采纳者偏好强度变量的敏感程度。研究结果对于制定创新推广策略具有一定的指导意义。     

隐埋电感工艺的开发与研究

通过蚀刻铜箔结合导通孔连接的方法在四层PCB中制得了大小从120 nH到1 400 nH的三维螺旋隐埋电感,品质因数分别为6～31(测量频率为1 MHz)。所制得隐埋电感既包括垂直轴线,也包括水平轴线三维螺旋隐埋电感线圈;既包括平面螺旋电感和三维螺旋线圈,又包括两者的复合。另外通过对比研究不同物理参数对垂直轴线三维隐埋电感的影响,结果发现在相同周长的情况下,圆形电感略优于方形电感;电感大小和线圈的面积及圈数成正比,与线圈间距成反比;品质因数随着线圈的面积、圈数和线圈间距的变化而略有变化。     

“PLC原理及应用”精品课程建设的探索

"PLC原理及应用"是电气工程及自动化专业必修的专业课程。本文介绍了"PLC原理及应用"精品课程在师资队伍培养、教材建设、教学内容、教学方法、实践教学和教学管理等方面进行的探索和研究成果。我们以精品课程建设为契机,不断提高师资教学水平,从而实现提高教学质量的目的。     

基于RS485的数据通信协议的设计与实现

基于现场可编程门阵列(FPGA),设计了采用RS485标准的数据通信协议。其中,高速信号接收,采用同步485通信协议,高速接口包括时钟和数据两个信号,时钟速率3.6864 MHz,利用同步时钟上升沿检测数据。低速信号接收采用异步485通信协议,波特率115.2 kbps,每字节1个起始位,8个数据位,1个截止位。针对高速数据接收时的情况,加入1 MB容量的静态存储器SRAM作为缓存,保证接收数据的可靠性。     

含氟取代苯类化合物定量结构与毒性关系研究

本文采用了按氢分类的分子电距矢量(H-MEDV)对19个含氟取代苯类化合物进行了结构表征。采用多元线性回归(MLR)方法建立了含氟取代苯类化合物的定量结构-毒性关系(QSAR)的5变量模型;上述模型对19个含氟取代苯类化合物毒性预测与实验值较好的吻合,其复相关系数(R)为0.918,标准偏差(SD)为0.382,结果表明所建模型具有较好的稳定性和预测能力。     

二元复杂共混体系组成的SEC-LS分析

提供了一种利用体积排阻色谱-光散射(SEC-LS)联用技术来解决二元复杂共混体系组成的定量分析问题.基于体积排除色谱的绝对定量化原则,首先从理论上分析了共混物的光散射响应因子与组成呈线性关系.通过分析六组复杂共混体系的光散射响应因子与组成的关系,验证了该线性关系确实存在.进而利用该线性关系计算了共混体系的组成.在某些共混体系中,通过光散射响应因子得出的组成比利用示差法得出的组成更加接近原料组成.通过分析这两种方法产生误差的来源,阐述了产生该现象的原因.     

Si SOI微剂量探测器电荷收集特性数值模拟

采用数值模拟软件TCAD对影响绝缘体上硅(SOI)PIN微剂量探测器灵敏区电荷收集特性的主要因素进行了模拟与分析。分析了3 MeVα粒子在PIN探测器内沉积能量产生的瞬时电流随探测器偏置电压(10 V至50 V)和掺杂浓度、粒子入射方向的变化。模拟结果表明,随着反偏电压的增大,载流子复合效应降低,瞬态电流增加;当n+区域反偏电压为10 V时,由α粒子入射产生的空间电荷在1 ns内几乎全部被收集,电荷收集效率接近100%;辐射产生的瞬时电流随探测器各端掺杂浓度的增大而减小。