面向舰船目标检测的单通道复值SAR图像统计建模方法研究

合成孔径雷达(SAR)成像模式丰富、覆盖范围广、分辨率高，可以长期、动态、宏观地对海洋进行监测。在完全发展的相干斑假设条件下，传统单通道SAR图像舰船目标检测方法主要研究幅度信息。然而，其部分假设条件在高分辨率情形下并非严格成立，因此无法有效利用单通道SAR图像的相位或复值信息。该文面向舰船目标检测应用，将单通道复值SAR图像统计建模方法划分为幅度、相位和复值统计建模3个部分，首先简要综述了单通道SAR图像幅度统计建模方法，然后详细阐述了单通道SAR图像相位和复值统计建模方法，并重点介绍了其建模过程和参数估计方法。在此基础上，该文给出了作者研究小组在基于复值统计信息的单通道SAR图像舰船目标检测方面的部分最新研究结果，并分析展望了下一步研究方向。      

高校实践类课程的创新教学

现行的实践类课程存在专业划分过细、实践内容单一、教学观念落后和实践能力训练不足等问题,无法达到培养高素质工程技术人才的要求.在借鉴国外知名高校成功经验的基础上,本文提出了分工合作—培养团队协作精神;网络互动—强化自主学习和讨论交流;学科交叉—培养多学科综合运用能力和师生共建—发挥学生的主人翁精神等改革思路,希望能为实践类课程的创新发展抛砖引玉.     

利用梯度下降极小惯量法的脑中线偏离度算法

大脑受到创伤后往往会伴随着结构的移位,而脑中线的移位程度对医生预估脑内压强、脑疝等脑部创伤后并发症的重要标准。本文以两位脑创伤患者在接受治疗期间内的影响资料为对象,研究了用梯度下降的极小惯量法计算大脑的理想对称轴,并与患者的实际脑中线相比较,归一化后脑中线偏离度随时间变化的趋势图与临床的症状完全吻合,因而对医生的临床判断具有重要意义。     

基于再流焊冷却过程应力分析的板极组件BGA焊点参数优化

建立了板级组件BGA（Ball Grid Array）焊点有限元分析模型,对BGA焊点进行了再流焊冷却过程应力仿真分析,设计并完成了验证性实验以验证仿真分析方法的有效性,分析了焊点结构参数和材料变化对焊点再流焊冷却过程应力应变的影响,采用响应面法建立了焊点应力与结构参数的回归方程,结合遗传算法对焊点结构参数进行了优化.结果表明：实验结果证明了仿真分析的有效性;焊点应力随着焊点高度的增加而增大,随着焊点直径的增加而减小;最优焊点结构参数水平组合为：焊点高度0.44mm、焊点直径0.65mm、焊盘直径0.52mm和焊点间距1.10mm;对该最优焊点仿真验证表明最大应力下降了0.1101MPa.     

基于磁性光子晶体的宽频带低损耗环行器

设计了一种基于光子晶体的结构紧凑、损耗低、频带宽的三端口三光路光环行器,该环行器由Y型光子晶体波导及配置在中心位置的磁光材料星形柱构成。通过对结构参数进行优化,该结构可以分别实现194~196GHz、198.2~199.4GHz和197~197.6GHz三个频段内稳定的顺时针单向环行传输,隔离度分别大于24、15.21和14.5dB,插入损耗分别小于0.18、0.11和0.38dB。该环行器结构简单,特别适用于结构复杂的光子集成系统,同时可提高光路的抗干扰性和稳定性等。     

基于串联式一维神经网络的毫米波雷达动态手势识别方法

现有的基于雷达传感器的手势识别方法,大多先利用雷达回波对手势的距离、多普勒和角度等信息进行参数估计,得到各种数据谱图,然后再利用卷积神经网络对这些谱图进行分类,实现过程较为复杂。该文提出一种基于串联式1维神经网络(1D-ScNN)的毫米波雷达动态手势识别方法。首先基于毫米波雷达获取动态手势的原始回波,然后利用1维卷积和池化操作对手势特征进行提取,并将这些特征信息输入1维Inception v3结构。最后在网络的末端接入长短期记忆(LSTM)网络来聚合1维特征,充分利用动态手势的帧间相关性,提高识别准确率和训练收敛速度。实验结果表明,该方法实现过程简单,收敛速度快,识别准确率可以达到96.0%以上,高于现有基于数据谱图的手势分类方法。     

一种快速瞬态响应无片外电容LDO

针对无片外电容LDO,在误差放大器与功率管之间添加缓冲器,采用频率补偿的方法,提高了环路稳定性。通过检测负载瞬态变化引起的误差放大器输出电压变化,增加对功率管栅极电容的充放电电流,提升了系统的快速瞬态响应能力。基于TSMC 0.18 μm标准CMOS工艺,设计了一种输入电压范围为1.92~3.60 V、输出电压为1.8 V的LDO。结果表明,负载在1 μs内从0变化到100 mA时,输出最大下冲电压为37.2 mV,响应时间为1.12 μs;负载在1 μs内从100 mA变化到0时,输出最大过冲电压为40.1 mV,响应时间为1.1 μs。     

一种缓冲器阻抗动态调整的LDO

提出了一种缓冲器阻抗动态调整的LDO结构。采用并联负反馈和阻抗动态调整技术,显著降低了缓冲级的输出阻抗,没有增加额外的静态电流,功率管栅极极点始终远在单位增益带宽之外,对稳定性没有影响。该缓冲级增大了功率管栅极的摆率,提高了LDO瞬态响应性能。基于TSMC 0.18 μm 3.3 V CMOS工艺进行设计,该LDO的输出电压为1.8 V,压差电压为0.2 V,最大输出电流为100 mA。仿真结果显示,LDO的静态电流只有5 μA,当负载电流在10 ns内从0 mA跳变到100 mA时,输出欠冲和过冲电压分别为88.2 mV和34.8 mV。     

一种CMOS超高速主从式采样/保持电路

基于65 nm CMOS工艺,设计了一种新型的CMOS主从式采样/保持电路。采用全差分开环主从式的双通道采样结构,提高了电路的线性度。采用负电压产生技术,解决了纳米级工艺下电源电压低的问题。采用Cadence Spectre软件对电路进行仿真分析。仿真结果显示,在1.9 V电源电压、相干采样下,当输入频率为1.247 5 GHz,峰-峰值为0.4 V的正弦波信号,采样率为2.5 GS/s,负载为0.8 pF时,电路的无杂散动态范围(SFDR)为78.31 dB,总谐波失真(THD)为－75.69 dB,有效位为11.51位,可用于超高速A/D转换器中。     

Synthesis and Crystal Structure of Tetra（o-cyanobenzyl）tin

The tetra（o-cyanobenzyl）tin compound has been synthesized by the reaction of cyanobenzyl chloride with tin, and its molecular structure was characterized by elemental analysis, IR spectra, ^1H NMR and X-ray diffraction. Crystal data for this compound： monoclinic, space group C2/c, Mr = 583.24, a = 1.9629（2）, b = 1.05967（13）, c = 1.41249（18） nm, β= 118.180（2）^o, V = 2.5898（5） nm^3, Z = 4, Dc =1.496 g/cm^3, μ（MoKa） = 1.015 cm^-1, F（000） = 1176, R = 0.0189, wR = 0.0497 （observed reflections with I 〉 20（I）） and R = 0.0218, wR = 0.0513 （all reflections）. The molecular structure adopts a distorted tetrahedral geometry around the tin atom. The Sn＇＂N weak interaction between the Sn and N atoms of cyano forms an intermolecular H-bonding, and the bond length is 0.3570 nm; the interaction between hydrogen of methylene and benzene ring of benzyl forms C-H…C with its bond length of 0.2817 nm; and the interaction among hydrogen of benzene ring and carbon of cyano forms Ph-H…C bond （0.2897 nm） Of the σ…π interaction. A 3D chain structure is formed by the above weak intermolecular interactions.