紫杉醇化学半合成进展

综述了以 1 0 -去乙酰巴卡亭Ⅲ和 1 0 -去乙酰紫杉醇为前体的紫杉醇化学半合成     

红外光电探测器的激光损伤分析

分析了国内外有关红外光电探测器激光损伤阈值的大量测量数据。讨论了激光损伤探测器的机理以及目前尚未解决的问题。比较了高重复频率脉冲激光和连续波激光对探测器的损伤效果。分析表明 ,在相同平均功率的条件下 ,高重复频率脉冲激光与连续波激光相比 ,探测器损伤效果前者要比后者大得多     

基于Chua电路混沌同步自保持特性的研究

本文介绍了Chua电路及其特性，给出实现非线性电阻的一种电路；利用Chua电路构造出一种驱动-响应混沌同步系统，利用仿真得出此同步系统具有一定鲁捧性，抗干扰等特性；根据此同步系统，仿真发现混沌同步具有自保持特性，并给出仿真结果，这一发现为混沌在保密通信的实际应用提供了依据．     

蝶状马氏体的自促发相变

采用复变函数方法计算了蝶状马氏体周围的应力场分布.计算结果表明,在蝶状马氏体的凸部存在很强的张应力,而在两翼结合的凹部存在很大的压应力.新的蝶状马氏体容易在张应力处被应变诱发生成,即应变诱发蝶状马氏体多出现在先生成的蝶状马氏体的凸部.但在两翼结合的凹部,即压应力处,也可能诱发新的蝶状马氏体.张应力场诱发的蝶状马氏体的尺寸比压应力场诱发的蝶状马氏体大.在一串自促发蝶状马氏体中,第2个蝶状马氏体多在第1个蝶状马氏体凸部大约2μm处出现.以上计算结果与实验观察符合较好.     

复合板材搅拌摩擦焊接

对不同厚度聚四氟乙烯板(简称FIFE)和LC4铝合金板，用搅拌摩擦焊(简称FSW)的方法来实现复合材料的焊接，这是一个新的探索。本试验中研究了FSW的工艺参数：焊接行走速度，搅拌头材料与形状，搅拌头旋转速度和倾斜角度等，用X衍射仪、图像分析仪等对试样的焊接区进行分析。结果显示：搅拌摩擦焊的方法可使聚四氟乙烯板材、铝合金LC4板材焊接。     

高频地波雷达VXI总线接口电路的设计

按照模块化和标准化的要求，提出用CPLD和双口RAM来实现一种通用的寄存器基VXI接口电路的设计方案，使之满足基于VXI总线高频地波雷达所有模件的接口要求．具体描述了该接口的设计方法、主要的逻辑及时序关系，采用有限状态机并利用VHDL语言和原理图输入的混合设计成功实现了“双向中断、全双工”的块数据传输方式．它具有通信速率高、灵活性好、调试方便等特点．实际运行表明，该接口电路工作正常可靠．     

AB INITIO CALCULATIONS OF OPTICAL PHONON DEFORMATION POTENTIALS IN DIAMOND AND ZINC-BLENDE SEMICONDUCTORS

Ab initio calculations of optical-phonon deformation potentials (ODP's), i.e., d₀, d₃₀, d₁₀ (val) and d₁₀ (con) for sixteen semiconductors were carried out systematically. The calculations are based on the LMTO-ASA band-structure method within the framework of the frozen-phonon approximation model, in which the displacement of empty sphere is considered to match its atomic sphere partners, We have compared the d₀ values obtained by several different theoretical calculation methods and studied the main factors affecting them. It is pointed out that the two different models (rhombohedral strain model and frozen-phonon model) for calculations will lead to different results of d₀.     

应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究

对处于不同应变状态下的超晶格（ＧａＰ）_１（ＧａＡｓ）_１（００１），（ＩｎＰ）_n（ＩｎＡｓ）_n（００１）（ｎ＝１，３）的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ｅ_v和平均键能Ｅ_m的行为，对以Ｅ_m为能量参考的应变层超晶格价带边不连续值计算方法作了较全面的第一原理的数值检验，基于这一方法，本文分别对ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＧａＰ，ＧａＡ 关键词：     

Al-0.5%Cu合金中表现反常振幅效应的低频位错内耗

用低频扭摆的方法,系统地研究了能够较有把握地观测到在Al-0.5％Cu合金中所出现的反常位错内耗的实验程序。结果指出,把试样在拉力试验机上预先拉伸到某一适当的形变量后,立即测量它在某一适当温度下时效的过程中的内耗,可以在内耗-时效时间曲线上观察到一个表现反常振幅效应(即内耗-振幅曲线上出现一个峯值)的时效内耗峯。用经过充分时效而内耗已经达到稳定值的试样,逐渐增加振幅,测量内耗,也可以观察到一个应变振幅内耗峯(当内耗表示为应变振幅的函数时)。此外,用一定的应变振幅在较高温度下,测量经过充分时效的试样的内耗时,也可以观察到一个表现反常振幅效应的温度内耗峯(当内耗表示为温度的函数时)。这些实验结果肯定地指出,在一定测量温度下的振幅内耗峯和表现反常振幅效应的温度内耗峯是存在的。为了找出以前在Al-0.5％Cu中所观察到的反常内耗现象重复性不好的原因,系统地研究了测量内耗所用的应变振幅对于出现振幅内耗峯的影响以及预形变量对于出现时效内耗峯和温度内耗峯的影响。对于出现反常内耗现象的实验条件进行了分析。所观察到的关于反常内耗现象的实验结果,都可用位错拖着溶质原子气团运动的模型来作定性的解释。具体的模型和理论分析将另行报导。