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51.
在cdma20001x前向信道中,要对一段信号进行传送,一般选用QPSK调制,因为QPSK调制比QAM更适合噪音环境。采用TI6000系列的TMS320C6711芯片处理前向信道信号,可以对复杂性和实时性较高的信号做采集、量化、编码、调制等实时处理,主要功能通过软件编程实现,从而使系统具有结构灵活、可靠性高、可扩展等优点。 相似文献
52.
53.
Whispering-gallery-like modes in square resonators 总被引:1,自引:0,他引:1
Wei-Hua Guo Yong-Zhen Huang Qiao-Yin Lu Li-Juan Yu 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》2003,39(9):1106-1110
The mode frequencies and field distributions of whispering-gallery (WG)-like modes of square resonators are obtained analytically, which agree very well with the numerical results calculated by the FDTD technique and Pade approximation method. In the analysis, a perfect electric wall for the transverse magnetic mode or perfect magnetic wall for the transverse electric mode is assumed at the diagonals of the square resonators, which not only provides the transverse mode confinement, but also requires the longitudinal mode number to be an even integer. The WG-like modes of square resonators are nondegenerate modes with high-quality factors, which make them suitable for fabricating single-mode low-threshold semiconductor microcavity lasers. 相似文献
54.
本文重点研究基于包错误率测量的链路自适应算法,分析了包错误率与信道参数的关系,提出了一种有别于固定门限值方案的优化门限值方案。仿真结果表明,优化门限值方案的网络吞吐量要大于固定门限值方案和基于信干比估计的链路自适应算法,最大增幅可达12Mbit/s。在系统引入重传机制后,网络吞吐量将有所损失,但最大不超过1Mbit/s,相比较服务质量的提高是值得的。需指出的是,虽然分析和仿真均以HIPERLAN/2为例,但不失一般性,它们同样适合于WPAN/WLAN等类似系统。 相似文献
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57.
58.
We identify the main reason impeding coherent generation of phonons in solid state - the inherently high density of phonon states. Based on the results of our analysis we formulate a set of conditions that may make phonon lasing practical and point out the most promising mechanism of phonon lasing: LO/spl rarr/LA+TO in InP. We then develop a complete set of phonon laser equations and evaluate the threshold, output power and efficiency of phonon lasers based on InP MESFET. We show that one can obtain high-power 1.26-THz coherent phonon emission with pump power as small as a few milliwatts and up to 5% slope efficiency. Potential applications are also discussed. 相似文献
59.
We prove the existence of global smooth solutions near a given steady state of the hydrodynamic model of the semiconductors
in a bounded domain with physical boundary conditions. The steady state and the doping profile are permitted to be of large
variation but the initial velocity must be small. Two cases are considered. In the first one the problem is three-dimensional,
the boundary conditions are insulating and the steady state velocity vanishes. In the second one, the problem is one-dimensional,
the boundary is of contact type and the steady state velocity does not vanish. 相似文献
60.