无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究

本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。     

用各向异性介质构造的一维光子晶体的特性分析

本文根据单轴晶体的传输矩阵，研究了一种由各向异性介质周期排列构成的一维光子晶体，分析了在不同入射角度和折射率条件下，该周期结构的反射和偏振的光学特性。分析结果表明，各向异性介质在折射率比值较大或与高折射率同性介绍结合使用，可获得较宽的禁带，并可实现在可见光范围内的全偏振全角度反射。     

四方向上的任意角度扇形数字滤波器的设计

具有任意角度（扇形所围成的角度）和任意方向（扇形所取方向）的扇形数字滤波器在图像数据压缩和地质、地震等方面的数据处理中有着广泛的应用。目前，大多数的工作多集中于水平及垂直方向的９０°扇形数字滤波器的设计，因而有必要研究任意方向上的任意角度的扇形数字滤波器的设计。本文介绍利用ＭｃＣｌｅｌｌａｎ交换法设计具有垂直，水平及±４５°方向上的任意角度的扇形数字滤波器的设计方法，垂直水平方向上的扇形滤波器的设     

一种网格结构的雷达信号处理单元

介绍了一种采用网络结构，使用五片SHARC芯片组成的相控阵雷达信号处理单元。并介绍了此单元上基于IEEE1149.1边界扫描标准的故障诊断系统。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

地域通信网的干扰技术研究

本文在分析地域通信网结构及组成的基础上,研究了对地域通信网实施的节点破坏、末端信息封锁、局部阻塞瘫痪等对抗方法,并使用干扰地域通信网的程度、节点干扰率、末端节点封锁率和传递信息误差率等指标对干扰效果进行评估。     

低强度激光血管内照射对海洛因戒断综合征的疗效观察

对于毒瘾戒断综合症的治疗一般采用强行戒断或逐步撤药等方法 ,但患者非常痛苦 ,且复吸率较高。为了观察低强度He -Ne激光对戒断症状的抑制作用 ,本文用低强度激光血管内照射疗法对 3 0例吸毒戒断综合征患者进行了治疗 ,并与对照组比较。结果证明 :实验组疗效明显优于对照组 (P <0 .0 1) ,为进一步的临床应用提供了临床依据。     

First-principle study of ferroelectricity in PbTiO3/SrTiO3 superlattices

We performed the first-principles calculation to investigate the electronic structure and polarization behaviors in PbTiO₃/SrTiO₃ (PST) superlattices. The DOS (density of state) profiles show that there are strong hybridizations of atom Ti–O and Pb–O which play very important roles on ferroelectricity of the PbTiO₃/SrTiO₃ superlattices. Comparing to the corresponding paraelectric phase, we find the electrons of the PT (PbTiO₃) layers occupy lower energy states and electrons of the ST (SrTiO₃) layer occupy higher energy states. It is shown that the polarizations of the superlattices decrease with proportion of SrTiO₃ increasing. The constant polarization of local layer indicates that PST superlattices with small modulation lengthen can be approximately considered as a single ferroelectric material. Furthermore, according to electrostatic model, we find that directions of internal electric fields in PT and ST layers are opposite. In PST superlattices, internal electric field in PT layer leads to the loss of polarization of this layer, but the polarization of ST layer is induced by internal electric field of this layer. Compared to the value of the polarization in bulk PbTiO₃, polarization of PST is smaller.     

Clustering study in Eu(DBM)3Phen-doped polymer optical fibers by optical properties and near-field scanning microscopy

The clusters of Eu3+ ion in Eu(DBM)3Phen-doped polymethyl methacrylate (PMMA) have been studied by three means. The relative fluorescence intensity ratio of the 5D0 → 7F2 to 5D0 → 7F1 transitions with different concentrations of Eu3+ in Eu(DBM)3Phen-doped PMMA and metastable-state (5D0) lifetime dependence on Eu3+ concentration are analyzed. The analysis indicates that there are no clustering effects in Eu3+ ions of Eu(DBM)3Phen-doped PMMA when the Eu3+ doping concentration is up to 1.0 wt.-%. At the same time, the clustering effect has not been observed by the scanning near-field optical microscopy (SNOM) in Eu(DBM)3Phen-doped PMMA with 1.0 wt.-% of Eu3+ ions. The analysis reveals that a high concentration of Eu3+ can be incorporated into polymer optical fiber (POF) without clustering effect.OCIS codes: 180.5810, 300.6280, 250.5460, 160.5690.     

四能级原子系统中量子相干增强的Kerr非线性效应的研究

应用密度矩阵方程计算了四能级原子系统中三阶非线性极化率随信号光和探针光频率失谐的变化关系。结果表明，由于量子干涉对信号光强度的敏感性，使四能级原子介质的交叉Kerr非线性作用大大增强，与三能级系统相比，四能级原子介质的Kerr非线性系数可增强两个数量级。