一种基于Ag-Sn等温凝固的圆片键合技术

研究了用Ag-Sn作为键合中间层的圆片健合。相对于成熟的Au-Sn键合系统(典型键合温度是280℃),该系统可以提供更低成本、更高键合后分离(De-Bonding)温度的圆片级键合方案。使用直径为100mm硅片,盖板硅片上溅射多层金属Ti/Ni/Sn/Au,利用Lift-off工艺来形成图形。基板硅片上溅射Ti/Ni/Au/Ag。硅片制备好后,将盖板和基板叠放在一起送入键合机进行键合。键合过程在N2气氛中进行,键合过程中不需要使用助焊剂。研究了不同键合参数,如键合压力、温度等对键合结果的影响。剪切强度测试表明样品的剪切强度平均在55.17MPa。TMA测试表明键合后分离温度可以控制在500℃左右。He泄漏测试证明封接的气密性极好。     

一种结构新型的双频双极化共口径微带天线

介绍了一种结构新型的双频双极化共口径缝隙耦合微带天线,天线工作的中心频率分别为2.1GHz(L波段)和8.6GHz(X波段),在两个工作频率采用了底馈的馈电方式.用时域有限差分法分别对L波段和X波段双极化的微带辐射单元进行了模拟分析,制作了L波段的2×2元即X波段的8×8元阵天线,同时给出了测量结果.     

基于GHZ态纠缠交换的量子确定性密钥分发方案

为了提高确定性密钥分发效率,提出了基于GHZ态纠缠交换的量子确定性密钥分发(Quantum deterministic key distribution,QDKD)方案,方案充分利用量子力学纠缠交换的原理,通信双方通过共享一对GHZ粒子态,在纠缠、测量操作后接收者Bob可根据发送者Alice发送的经典信息推断出确定密钥,该协议与其他基于GHZ纠缠态的QDKD方案不同之处在于,使用的两个GHZ粒子态制备操作且粒子分发操作由Bob完成,安全分析表明窃听者的窃听行为会被及时发现。所提出的方案是高效的,除去用于窃听检测的粒子,所剩的粒子全部用于信息传输,能够达到60%的密钥分发效率,且方案可操作性强.     

Web上分布式领域组件的框架表示

文章采用知识表示中的框架表示法,结合谓词产生式,语义网络等手段,提出了一个具有网络分布式及Ｗｅｂ化构造特性的领域构架及组件的表示方法ＦＲＤＤＣ。应用ＦＲＤＤＣ实现的ＡＮＤ－ＣＡＳＥ模型表现了ＦＲＤＤＣ的自然性,结构性,Ｗｅｂ可操作性,容纳柔性及知识表达能力。     

基于BF561的嵌入式机器视觉平台

介绍了基于BF561芯片的嵌入式机器视觉平台的硬件构成和实现.该系统充分利用双核DSP芯片BF561在图像处理中的优异性能.克服了传统基于图像采集卡和PC机的图像处理系统的实时性差、体积大和扩展性差等缺点,实现了图像的采集、处理和目标识别由DSP单独完成.     

OrCAD PSpice在模拟电子技术教学应用中的实践

讨论了传统模拟电子技术教学和实验设计的现状,以双极性结型晶体共射极放大器为例子,对OrCAD PSpice仿真技术在模拟教学中的应用进行了探讨。基于OrCAD PSpice仿真技术在很多方面能弥补传统教学的不足,指出先进的模拟电路仿真技术对于模拟电子教学具有重要意义。     

纯硅材料喇曼激光器及硅芯光纤的研究进展

硅材料在1.2～6.6μm波段有高透明和高喇曼增益的特性,易于在室温条件下激发出近中红外波段喇曼激光.详细阐述了硅激光的非线性转换效率的问题.介绍了采用纯硅材料作为增益介质的喇曼激光器的研究进展,并对研究现状进行了报道.预测硅芯光纤将作为新型大功率近中红外的喇曼激光器的增益介质.     

分布式网络性能智能监测系统的设计与实现

设计并实现了一种分布式网络性能智能监测系统。系统由很多分布式的客户端组成，可以监测跨交换机域网络。系统同时将神经网络算法引入到流量分析，形成了智能流量分析功能。最后提出了一种基于Hash表的可视化的入侵检测机制，可以简单直观实时地反应网络入侵。     

石油和天然气红外成像检漏

石油和天然气泄漏后容易引起火灾、爆炸事故,发展快速、有效的石油和天然气红外成像检漏技术具有重要意义。通过对石油和天然气泄漏成分及其红外吸收特性的分析,将成像检漏系统的光谱响应波段选取为3.2~3.5 μm。针对气体目标的运动、扩散特点,研究了基于背景动态范围压缩的方法和基于气体边缘迁移的方法,对成像检漏演示系统的输出图像进行实时增强处理,实验表明两种增强算法提高了气体成像检漏的能力。     

双层悬空结构片状微电感研究

利用MEMS工艺制作了一种双层悬空结构的圆形片状微电感，并研究了其在S波段的性能。双层微电感的底层线圈制作在玻璃衬底平面上，外径为500μm，匝数为2，导线宽度70μm，导线间距15μm，顶层线圈的悬空高度为20μm，顶层线圈的匝数为1．5，其它结构参数与底层线圈相同。研究表明，所制作的双层结构微电感在2GHz～4GHz时其电感量达到2．2nH，其品质因数达到22。在制作过程中首次引入的光刻胶抛光工艺大大简化了微电感的制作过程。