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31.
对ALICE实验光子谱仪的触发选判机制进行了模拟研究, 内容包括: 1) 对光子谱仪的能量重建性能进行了研究, 通过计算机模拟检验光子谱仪探测器对大横动量范围的入射粒子的能量重建性能; 2) 对光子谱仪探测器的事件触发效率进行了研究, 通过计算机模拟分析触发阈值的选取并计算触发效率; 3) 对光子谱仪探测器的事件触发频率进行了研究, 通过计算机模拟对p-p和Pb-Pb两种碰撞模式下的触发频率分别进行了估算和讨论. 相似文献
32.
用硼氢化钠作还原剂,制备出两种相对稳定的含银纳米颗粒的水溶胶,用透射电镜(TEM)和光学吸收谱对这些颗粒进行了表征.当被还原的银离子较少时,所形成的银纳米颗粒较小,吸收峰呈现二极等离子体共振吸收峰.当被还原的银离子较多时,银纳米颗粒尺寸变大,并出现二极和四极共振吸收峰.在Ag纳米颗粒形成后,对其溶液稀释,发现其峰形保持不变,而峰位会出现红移,最大红移量可达到10 nm.透射电镜研究表明,低浓度溶胶中的Ag纳米颗粒尺寸较为均匀,平均直径12 nm.高浓度溶胶中的纳米颗粒尺寸呈双尺寸分布特点,少量颗粒直径小于14 nm,大部分颗粒直径大于20 nm. 相似文献
33.
34.
单片机软件模拟SPI接口的解决方案 总被引:3,自引:0,他引:3
SPI接口是一种同步串行通讯接口,具备SPI接口的外围芯片十分丰富,应用非常广泛。但是,具备SPI接口的单片机种类较少。介绍了一种基于单片机的模拟SPI接口的方法,使没有SPI接口的单片机扩展带有SPI接口的外围芯片成为现实。 相似文献
35.
36.
37.
复方单硝酸异山梨酯-阿司匹林双缓释微丸胶囊的研制(Ⅱ) 总被引:2,自引:0,他引:2
以乙基纤维素、丙烯酸树脂Ⅱ和丙烯酸树脂Ⅲ为骨架材料分别制备单硝酸异山梨酯和阿司匹林混合骨架缓释微丸,并通过包薄膜衣进一步控制药物的释放。通过测定微丸的释放度对处方工艺进行评价,选择最佳微丸灌装胶囊.胶囊中两种药物均达到良好的缓释效果。符合中国药典对缓释制剂的要求.其体外释放过程同时符合Higuchi方程和一级释药方程,R^2值均在0.995以上。 相似文献
38.
CAI Guang-Yu LlU Zhong-Min SHI Ren-Min HE Chang-Qing YANG Li-Xin SUN Cheng-LinDalian Institute of Chemical Physics Acadernia Sinica Dalian Iiaorting 《天然气化学杂志》1995,(2)
A new route named as SDTO method for the synthesis of lightolefins from syngas has been proposed.That is to convert syngas todimethylether and then to convert dimethylether to light olefins.The catalystsfor the two conversion reactions have been developed.For the first reaction,the catulySt was synthesized by the combination of methanol synthesis catalystwith γ-Al_2O_3or zeolites which possesses both metallic and acidic functions.Thecatalyst for the second reaction was modified SAPO-34 molecular sieve.Thevariables of the reactions have also been investigated.The results from theserial connection of the two conversion steps without any separation show thatthe yield of C_2~-C_4~- olefins Could be>100g/(m~3 syngas). 相似文献
39.
Average Atom Model in Hot Plasmas 总被引:4,自引:2,他引:2
Average Atom Model in Hot PlasmasAverageAtomModelinHotPlasmas¥YuanJianhui;SunYongsheng;ZhengShaotang(InstituteofAppliedPhysic... 相似文献
40.
1μm宽硅深槽刻蚀技术 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。 相似文献