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241.
MCM具有胜过PCB、LSI和一般HIC的诸多优点,正在逢勃发展,可望成为九十年代的代表性技术。本文从市场和技术两个方面评述MCM的发展潜力,重点介绍近年来国外MCM主要制造技术的现状及发展态势,试图引起人们对它的关注。 相似文献
242.
不等波纹函数低通原型的理论及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
本文提出不等波纹函数低通原型,并对其理论进行初步探讨。切比雪夫函数及最平坦型巴特活兹函数皆为其特例。文中给出不等波纹函数的几个性质,最后给出两个应用实例,消除耦合环自感部分的影响;抑制高次模的微带圆盘腔带通滤波器。 相似文献
243.
本文报导了最近研制成功的用于提高国产氩离子激光器相干长度的相干扩展器。利用这种基于F-P理论的相干扩展器可以使国产氩离子激光器的相干长度由不足5cm一下提高到m的量级,功率损耗在25%~40%之间,有着很好的应用前景。 相似文献
244.
本文对采用区内C/I平衡的多区蜂窝CDMA系统下行链路的性能进行分析,给出两种区内C/I平衡算法并比较它们的性能,考虑呈对数正态分布的阴影和R^-4规律的路径损失的综合影响,采用与传统不同的小区平均中断概率来评价系统的性能。 相似文献
245.
246.
The Al2O3−CdSe interface of a thin-film transistor is investigated in the frequency range 30 Hz-30 kHz under weak depletion and accumulation.
The surface states are, most likely, located in the insulator Al2O3 with a concentration varying from 4·1018 to 1019 cm−3 eV−1. The surface states have a negligible influence on the thin-film transistor operation. 相似文献
247.
248.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
249.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
250.
Li Boyu 《数学学报(英文版)》1991,7(3):247-251
H. Crapo raised in 1982 the following problem: IfP is a complete lattice, is Retr (P) a complete lattice? here Retr (P) denotes the set of all retraction operators onP with the pointwise order, that is,f≤g in Retr (P) ifff(x)≤g(x) for everyx inP. An affirmative answer will be given in the present paper. 相似文献