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在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
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在数据采集中采用带通采样,可大大降低采样率,但系统中的抗混叠滤波器会造成相位的非线性。采用对滤波后的信号进行带通采样,然后再用FRR滤波器校正相位的非线性,从而不失真地还原原信号,最后在Matlab中进行仿真,验证了该方法的有效性。 相似文献
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叙述了以视频服务器为中心构建的网络化多频道自动播出系统的实践、见解和系统的特点。该系统着重考虑了视频服务器选型、系统可靠性、网络化控制及监控、信号共享等问题;同时,实现了多路同时上载、多路边播边上载,以及自动延时播出等功能。 相似文献
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本文提出了全真信息、信息的亲善性等概念,讨论了信息的有关性质及运算的关系,得到了信息的运算与普通集合运算之间存在着差异的结论,说明了引起该差异的原因.同时,以认知模式为基础,定义了信息函数,并得到了有关的命题及运算. 相似文献
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Summary Consider the solution of one-dimensional linear initial-boundary value problems by a finite element method of lines using a piecewiseP
th
-degree polynomial basis. A posteriori estimates of the discretization error are obtained as the solutions of either local parabolic or local elliptic finite element problems using piecewise polynomial corrections of degreep+1 that vanish at element ends. Error estimates computed in this manner are shown to converge in energy under mesh refinement to the exact finite element discretization error. Computational results indicate that the error estimates are robust over a wide range of mesh spacings and polynomial degrees and are, furthermore, applicable in situations that are not supported by the analysis.This research was partially supported by the U.S. Air Force Office of Scientific Research, Air Force Systems Command, USAF, under Grant Number AFOSR 90-0194; by the U.S. Army Research Office under Contract Number DAAL03-91-G-0215; and by the National Science Foundation under Institutional Infrastructure Grant Number CDA-8805910 相似文献
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