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901.
902.
903.
简要介绍了激光纵模分裂的基本原理,研究了腔内含有1个和2个1/4波片时产生Nd∶YAG激光纵模分裂的规律。实验结果表明:在1064nm Nd∶YAG激光的腔内放置一个1/4波片时,每一激光纵模分裂为2个正交的线偏振模,在波片表面垂直于激光光线的条件下,纵模分裂量(即频率差或波长差)恰好等于激光纵模间隔的一半;当在Nd∶YAG激光腔内沿垂直光线方向平行放置2个1/4波片时,也能产生纵模分裂现象,其纵模分裂量取决于2波片快(慢)轴之间的夹角。在0°~ 90°范围内调节角度,可使纵模分裂量在一个激光纵模间隔内线性调谐。实验结果与理论分析相吻合。 相似文献
904.
在自旋轨道劈裂阵模型下,考虑组态间的耦合,计算出类铜钽激光等离子体的跃迁组态的波长和对应的波数,通过组态平均分析了其自电离与辐射跃迁特性,得出相关的自电离系数和辐射衰减系数,这些参数为分析高离化钽激光等离子体的双电子复合过程提供了重要的理论依据. 相似文献
905.
用二阶微扰(MP2)法和单激发组态相互作用(CIS)法分别优化了发光材料H3PAuPh和(H3PAu)2(1,4-C6H4)2的基态和激发态的几何结构,并用含时密度泛函(TD-DFT)法计算了各发光材料的吸收光谱与磷光发射光谱。计算结果表明,H3PAuPh和(H3PAu)2(1,4-C6H4)2的磷光发射光谱均具有在Au(6p)→C(2p)的金属向配体的电荷转移(MLCT)参与下的pπ*(Ph)→pπ(Ph)跃迁的本质,并伴有Au(6p)→Au(5d)的金属中心电荷转移(MCCT)的性质。(H3PAu)2(1,4-C6H4)2是由两个H3PAuPh连接而成的。因此(H3PAu)2(1,4-C6H4)2的分子轨道也是由H3PAuPh的分子轨道组合而成的。在磷光发射中,由于轨道组合中存在pπ*或pπ的相互作用,所以(H3PAu)2(1,4-C6H4)2的最低能量磷光发射光谱谱线的波长大于H3PAuPh的相应值。 相似文献
906.
应用不可约张量理论构造了三角对称晶场中3d2/3d8态离子的45阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵,研究了CsNiCl3单晶掺入CsMgCl3晶体后光谱精细结构、晶体结构、零场分裂参量、Jahn-Teller效应以及自旋单重态对Ni2+离子基态能级的影响,理论与实验相符合.研究了自旋-自旋耦合作用和Trees修正对Ni2+:CsMgCl3晶体的光谱精细结构和零场分裂参量的影响,发现有五种机理会影响零场分裂参量:(1)自旋-轨道耦合机理;(2)自旋-自旋耦合机理;(3)自旋-轨道与自旋-自旋联合耦合机理;(4)自旋-轨道与Trees修正联合耦合机理,(5)自旋-自旋作用与Trees联合耦合机理.其中自旋-轨道耦合机理是最主要的,其它几种机理也是不可忽略的. 相似文献
907.
A Comparison between AlN Films Grown by MOCVD Using Dimethylethylamine Alane and Trimethylaluminium as the Aluminium Precursors
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HU Wei-Guo LIU Xiang-Lin ZHANG Pan-Feng ZHAO Feng-Ai JIAO Chun-Mei WEI Hong-Yuan ZHANG Ri-Qing WU Jie-Jun CONG Guang-Wei PAN Yi 《中国物理快报》2007,24(2):516-517
Aluminium nitride (AlN) films grown with dimethylethylamine alane (DMEAA) are compared with the ones grown with trimethylaluminium (TMA). In the high-resolution x-ray diffraction Ω scans, the full width at half maximum (FWHM) of (0002) AlN films grown with DMEAA is about 0.70 deg, while the FWHM of (0002) AlN films grown with TMA is only 0.11 deg. The surface morphologies of the films are different, and the rms roughnesses of the surface are approximately identical. The rms roughness of AlN films grown with DMEAA is 47.4nm, and grown with TMA is 69.4nm. Although using DMEAA as the aluminium precursor cannot improve the AlN crystal quality, AlN growth can be reached at low temperature of 673K. Thus, DMEAA is an alternative aluminium precursor to deposit AlN film at low growth temperatures. 相似文献
908.
909.
介绍了计费网过去的接入方式及存在的不足,阐述了VPLS技术及其特性,提出了VPLS技术在计费网络中应用的解决方案建议. 相似文献
910.
<正>AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路(MMIC)两种结构形式,功率MMIC尽管其研制成本相对较高,但功率MMIC可实现宽带匹配,同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多,是满足诸如X 相似文献