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161.
摘要用单层人类正常皮肤成纤维细胞(HSFs)作为细胞模型,研究高强度激光束边缘低强度激光的光生物凋节作用。分别用1064nm和532nm脉冲激光对24组培养的HSFs单层细胞进行照射。研究发现,高脉冲能量的照射导致较低存活率和较大的损伤半径。对接受1064nm照射的HSFs,100mJ照射组和150mJ照射组在照射24h和48h后检测发现显著促进增殖;而对532nm照射的HSFs,100mJ照射组在照射24h和48h后检测发现受到显著抑制增殖。这些结果表明。高强度激光束边缘低强度激光存在光生物调节作用,这可能是影响外科激光的长期效应的重要因素。 相似文献
162.
利用测量瞬态反射谱的方法,探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的InP中载流子寿命,观察到非掺杂InP中载流子寿命最长约60ps,掺锌InP中载流子寿命38ps居中,掺硫和掺铁的寿命最短约1ps掺硫、铁和锌的InP中载流子寿命下降,是由于掺杂引入了复合中心,这一结果已被喇曼光谱所证实。 相似文献
163.
增大传感器振子的质量和静态测试电容可以减小电容式MEMS惯性传感系统的噪声,而深度粒子反应刻蚀工艺由于复杂的工艺原因,当深宽比较大时,不能刻蚀出大质量和大初始电容的传感器.据此,本文研究了一种磁驱动增大检测电容的MEMS惯性传感器,通过电磁驱动器,传感器的静态测试电容可以大幅增加,在梳齿电容上刻蚀阻尼槽后,其机械噪声达到0.61μg每根号赫兹,仿真其共振频率为598Hz,静态位移灵敏度为0.7μm每重力加速度,基于硅 玻璃键合工艺,制作了栅形条电容式惯性传感器,并用电磁驱动的方式测试其品质因子达到715,从而验证了制作工艺的可行性和电磁驱动器改变传感器初始静态测试电容的可行性. 相似文献
164.
165.
166.
报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%. 相似文献
167.
为了改进0.02Pb(Y1/2Nb1/2 )O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y)PbZrO3 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对0.02Pb (Y1/2Nb1/2 )O3 -yPbTiO3 -(1- y- 0.02)PbZrO3 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Sr2+ 和Ba2+ 作为同价取代元素能够提高0.02Pb(Y1/2Nb1/2 ) O3 -yPbTiO3 -(1- 0.02- y) PbZrO3 系材料的机电耦合系数(kp、k33 、kt)、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Qm ; Li+ 、Cr3+ 、Mn2+ 、Ni3+ 、Fe3+ 等金属离子加入0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y) PbZrO3 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3 -yPbTiO3- (1- 0.02- y) PbZrO3 压电材料性能有促进作用。 相似文献
168.
介绍了未来高速移动通信新标准IEEE802.20的总体概况,具体分析了IEEE802.20的技术特性、系统参考结构以及系统的组成模型,并对IEEE802.20标准前景分析与展望进行了详细描述。 相似文献
169.
170.
针对分布式多天线系统中传统测角方法存在测量精度偏低、宽带信号不适用等问题,提出了一种基于时延差(Time Difference of Arrival,TDOA)测量的多天线二维测角算法。该算法基于最小二乘原理,综合利用多基线测量结果进行迭代计算,有效提高了估计精度,且无需解模糊。推导了算法的克拉美罗界(Cramér-Rao Lower Bound,CRLB)与均方根误差表达式,讨论了算法的测角性能。当天线数为7、天线间距100 m、时延估计精度优于10 μs时,测角精度接近CRLB,方位角精度优于3°,俯仰角精度优于4°。算法复杂度适中,能够应用到多天线无源侦察、空间目标跟踪等应用中。 相似文献