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141.
针对分立强杂波容易形成虚警这一问题,结合AEW雷达这一应用背景,研究了AEW雷达双通道信号检测方法,分析了各种参数的选取及对系统性能的影响,给出了可供工程上参考的几个结论,提出了工程设计中的重要依据。 相似文献
142.
143.
高速连续数据记录系统中双页缓存的设计和实现 总被引:2,自引:0,他引:2
在高速连续数据记录系统中,存储设备需要速度匹配单元来实现高速连续数据记录,文章讨论了双页缓存在高速连续记录系统中的作用,并以实际开发的记录系统为例,详细介绍了双页缓存的设计和实现。 相似文献
144.
硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米 总被引:7,自引:0,他引:7
近年来电脑硬盘存储密度的飞速增长(年增长100%)已超出摩尔定律的预言.这种惊人的高速增长中,最关键的因素是自旋阀纳米多层膜结构,即巨磁电阻(GMR)读传感器磁头的应用.事实上,巨磁电阻磁头读传感器(reader sensor)已经实现由微电子器件向纳米电子器件转化,并且形成大规模产业.这一过程包含了自旋电子学、材料科学、微电子工程学、化学、微机械力学和工程学等诸学科和相关微加工技术综合性挑战极限,进入纳米科技领域实质性进步. 相似文献
145.
对高斯束激光摇摆场中的电子运动轨道进行了分析.推导出轴向导引磁场与反向传播的激光摇摆场作用下的单粒子电子运动轨道,并对轨道的稳定性进行了分析.发现当瑞利长度较大时,得到的结果与平面电磁波摇摆场的结果相一致.与静磁摇摆场的自由电子激光相似,在激光摇摆场中的电子轨道也存在两类分立轨道,但是,与静磁摇摆场不同的是,这两类轨道都是稳定的
关键词: 相似文献
146.
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献
147.
对于高温高压下氩等离子体的电离度和物态方程,本文给出了一种基于Thomas-Feimi(TF)统计模型的简化计算新方法:首先将TF模型电离势的数值结果进行函数逼近,给出一个便于数值求解的计算电离度的近似计算方法,并由此计算了局部热动平衡下的氩等离子体在10~1000 eV高温范围内的物态方程.计算结果与国外报道的其他几种理论模型的计算结果均符合很好,与实验值也吻合较好.本文所提出的简单模型也适用于计算混合物物态方程,可以在电磁发射技术领域中的强电离等离子体中有更为广阔的应用前景. 相似文献
148.
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品,实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系,同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果。 相似文献
149.
150.
本文采用氢化物-非色散原子荧光光谱法研究了十几种饲料矿物添加剂中金属离子对砷测定的干扰,采用加入硫脲-抗坏血酸混合溶液、碘化钾分离、加热蒸干等方法消除干扰。同时本文还对测定砷的酸度、硼氢化钾浓度和仪器工作参数进行了研究和优化。方法相对标准偏差(RSD)为0.54%,检出限(D.L)为54.5ng/L,样品国.加标回收率为102.9%。实际样品测定结果与胂斑法相比具有很好的一致性。 相似文献