深海高可靠声学应答释放器设计与实现

深海声学释放器是海洋监测系统回收的主要设备。本文分析了国外声学释放器的主要发展状况,介绍了国家海洋技术中心研制的声学释放器的情况,并对其可靠性进行了分析。最后设计了国产释放器与国外释放器通信比测实验,验证其通信性能。     

基于TMS320F2812的双电源供电电路设计实现

电源供电电路设计对DSP系统的可靠应用具有十分重要的意义。针对TI公司DSP芯片TMS320F2812的双电源供电电路,结合双电源供电芯片和上电复位芯片的应用特点,实现了1．9V的核电源和3．3V的I／O电源的双电源供电电路,并对电路中主要芯片的应用电路作了相应分析。在上电次序上,本设计满足I／0电源和核心电源的上电先后顺序要求。经验证双电源启动电路完全满足启动要求,所有设计电路工作稳定可靠,本设计为DSP应用系统稳定工作提供了有效的保障。     

肌电信号特征提取方法综述

肌电信号分析在肌肉的临床诊断、康复、仿生控制和工程应用等领域具有重要的研究价值,而特征提取是肌电信号分析的基础.文章总结回顾了现有肌电信号特征的提取方法,并将其归纳为四大类:时域分析方法、频域分析方法、时频分析方法和非线性动力学方法.在简单介绍各类特征提取方法的基础上,比较了各类方法的特点与优劣,并对其在肌电分析相关领域的应用前景进行了展望.     

碳纳米管薄膜微光纤气体传感器的模场分析

基于包层薄膜折射率对微光纤中传输光能量分布的影响,进一步用模场分析仪观察碳纳米管薄膜微光纤在与二甲苯气体接触时,输出光的能量分布和倏逝场的变化。实验结果显示,未镀膜的微光纤暴露在一定浓度的二甲苯气体环境下时,表现出对光很弱的约束能力;而把碳纳米管薄膜微光纤置于与之相同浓度的气体环境时,微光纤的输出光强减小,高阶模的能量发生不稳定的变化,最后待气体挥发完全至浓度稳定后,薄膜微光纤输出光场高阶模能量减小,微光纤的能量分布趋向于高斯分布。     

1064 nm激光抽运PPMgLN光参量振荡高效率2.7 μm激光器

报道了采用1064 nm激光抽运PPMgLN晶体准相位匹配(QPM)技术实现高效率2.7μm激光输出的实验结果,理论计算了PPMgLN晶体准相位匹配周期调谐曲线,得出PPMgLN品体周期为31.3μm时可获得中红外波长2.7μm激光输出.PPMgLN晶体(MgO掺杂摩尔分数为5%)单谐振光参量振荡(OPO)技术采用e→e+e相位匹配.消除了光束之间的走离效应并利用了PPMgLN晶体的最大非线性系数d33(27.4 pm/V).在1064 nm激光抽运功率为26 W,声光Q开关工作频率为7 kHz的条件下,获得平均功率为4.7 W,波长为2.72μm激光输出,斜率效率超过21%,对应闲频光波长1.75μm激光输出功率约9 W.2.7μm激光水平方向和垂商方向光束质量M2因子分别为2.05和1.84.     

一种直流稳压电源及漏电保护装置的设计

系统由硬件和软件2部分构成,采用80C196、AVR16单片机为核心实现电流电压的测量、显示、漏电保护等功能。主电路电源部分采用80C196处理后进行实时电压、功率显示,并经过DCA712转换后送入后级电路调整,锁定5V电压输出。漏电保护装置采用AVR16控制直流继电器,实现漏电保护。测试结果表明,电压调整率为0.2%,负载调整率为0.4%,漏电保护装置动作电流为30.25m A,精度超过设计要求。整个稳压电源输出稳定,调试方便。     

烟幕对毫米波末制导雷达的遮蔽干扰分析

在分析战场环境的基础上,通过分析烟幕的衰减遮蔽特性和毫米波末制导雷达的特点,对烟幕遮蔽毫米波末制导雷达的机理进行分析,分别建立了烟幕箱和烟幕弹对毫米波末制导雷达的遮蔽面密度模型。最后,用VC＋＋和Matlab建立了仿真模型并进行分析。     

变形分数傅里叶变换双随机相位加密技术

提出变形分数傅里叶变换双随机相位编码技术。详细阐述了编码与解码的光学原理,由于变形分数傅里叶变换比分数傅里叶变换多两个分数傅里叶变换阶次,所以,变形分数傅里叶变换双随机相位编码技术比分数傅里叶变换双随机相位编码技术增加了两重密钥,进一步提高了系统的保密性能。并进行了计算机模拟验证,结果证明该原理是正确的。     

聚焦离子束工作原理及刻蚀性能研究

综述了聚焦离子束系统的结构和基本原理,介绍了国产化聚焦离子束系统的结构与特点。基于国产化聚焦离子束系统进行了硅材料刻蚀实验,研究了硅材料刻蚀速率与离子束流大小的关系,建立了刻蚀速率与束流大小的关系方程,进行了硅悬梁微结构刻蚀加工。结果表明,国产聚焦离子束系统可满足硅微悬梁结构加工的应用需要。     

压印技术制备超高密度Si_2Sb_2Te_5基相变存储阵列

采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。