炉管制程工艺中的片数效应及其优化方案

随着半导体技术的发展,越来越多的立式炉管在200mm及300mm集成电路晶圆制造中被应用到。同时炉管制程中的片数效应随着集成电路芯片的集成度越来越高而被凸显出来。文章将以LPCVD氮化硅在0.16μm、64M堆叠式内存制造过程中的片数效应为例,阐述炉管制程工艺中的片数效应以及通过调整制程参数（温度、沉积时间）的方式予以解决的实例。文中通过调整炉管上中下的温度来补偿气体的分布不均匀,调整沉积时间来补偿不同片数的沉积速率的差异,两者结合并辅以基于片数的分片程式来解氮化硅电介质沉积的片数效应。同时以此为基础总结出炉管片数效应的解决方案。     

氟比洛芬对映异构体的手性衍生化反相高效液相色谱拆分及质谱鉴定

以二氯亚砜和R-（＋）-1．（1-萘基）乙胺为手性衍生化试剂,建立了一种柱前衍生化反相高效液相色谱法分析氟比洛芬对映异构体的方法。选用C18柱,以乙腈-50mmol／L磷酸二氢钾溶液（体积比75：25）为流动相,在254nm检测,非对映异构体色谱峰的保留时间分别为5．6和6．2min,分离度为2．0,检出限为12μg／L（S／N=3）。并经液相色谱-电喷雾离子阱质谱实现了衍生物的分离与鉴定。其衍生化产物稳定,方法灵敏度高,重复性好,可用于氟比洛芬及其对映异构体的药理学立体选择性研究和药品质量控制。     

关于苯酚和碳酸钠反应的探讨

设计一组实验,分别在一定体积的1.5 mol/L的苯酚乳浊液中加入一定量的晶体碳酸钠、不同体积的饱和碳酸钠溶液,在相同的条件下,用蒸馏水作对照,观察反应现象。结果观察到实验组苯酚乳浊液变清的现象。结论苯酚能与晶体碳酸钠或饱和碳酸钠溶液反应,生成苯酚盐,并通过平衡常数的计算从理论上进行分析和讨论。     

HMX/TATB复合材料弹性性能的MD模拟

用分子动力学(MD)方法COMPASS力场, 分别在正则系综(NVT)和等温等压系综(NPT)下, 模拟计算了著名常用高能炸药HMX(环四甲撑四硝胺)与著名钝感炸药TATB (1,3,5-三氨基-2,4,6三硝基苯)所构成的混合体系在室温时的弹性性能和结合能. 结果表明, 在NVT和NPT两种系综下模拟所得结果呈平行一致的趋势; 与纯HMX相比, HMX/TATB复合材料的拉伸模量、体模量和剪切模量均有所下降; 在NVT系综下, 还完成了HMX/TATB混合体系的不同温度的MD模拟. 发现当温度在245～345 K范围时, 体系的刚性和弹性变化很小; 但当温度达到395 K时, 材料的刚性减弱, 柔性增强.     

离子速度成像方法研究二溴甲烷的紫外光解动力学

利用二维离子速度成像(Ion-Velocity Imaging)方法对二溴甲烷分子在234和267 nm附近的光解动力学行为进行了研究. 实验中得到了二溴甲烷光解产生的Br^*(²P_1/2)和Br(²P_3/2)在不同波长下的角度和平动能分布. 在平动能分布中发现两个高斯分布, 推测其中主要是C—Br的快速解离, 而高能宽分布则来自于CH₂Br自由基的二次解离过程. 通过角度分布得到了Br^*与Br中来自直接解离和非绝热交叉跃迁两种来源的比例. 结果表明Br^*原子主要来自于B₁态的直接解离, 而Br则绝大部分是从B₁态向A₁的非绝热交叉跃迁得到, 并导致了两种解离通道能量分布的差别.     

紫外分光光度法测定高山红景天根及其浸膏的有效成分

使用紫外分光光度法测定了高山红景天根不同部位及其浸膏中主要有效成分的含量.红景天甙、酪醇对照品溶液和供试品溶液在276nm处具有最大吸收峰,红景天甙对照品溶液的线性回归方程为A=0.00529c+0.00189,r=0.99997(n=8),线性范围为7.97～71.71mg/L,平均回收率为98.08%,RSD为2.60%(n=5).测得高山红景天原药材内层部分、外皮层部分和总体混合物部分主要有效成分(红景天甙和酪醇)的含量(以红景天甙计)分别为2.789%,2.385%和2.617%,其浸膏中主要有效成分的质量分数分别为6.384%,13.80%和6.700%.并用HPLC法验证了该法的准确性,结果表明,该法可用于红景天属植物原药材及其浸膏中主要有效成分的定量分析.     

乙醇-环己烷体系中NaI活度系数的测定与计算

由于非水溶剂的应用日趋广泛,促使物理化学工作者对于溶剂和溶液性质进行研究,同时开展了有关物理化学数据的测定和积累工作,以利于指导实践[1]。目前文献报道含水混合溶剂中的电解质活度系数较多,但非水混合溶剂中电解质活度系数报道较少。电解质浓溶液活度系数的计算方法目前应用较广的是Pitzer半经验算法[2]。Pitzer的算法中具体物系的β(0)、β(1)等系数需从实测活度系数数据拟合求得。孙仁义等通过测定汽液平衡盐效应的方法研究了盐在混合溶剂中的活度系数[3-4]。最近孙仁义等[5]提出了双液比固定条件下含盐体系汽液平衡数据热力学一…     

不同形貌氮化硅纳米结构的制备与表征

分别通过VLS和VS生长机制得到了Si3N4纳米线和纳米带.产物经X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等表征手段进行了分析.FTIR图谱表明它们在800～1100cm-1的波数范围内有一个宽的吸收带,这是Si-N键伸缩振动模式的典型吸收带.它们的室温光致发光图谱显示,在420nm左右都有一很强的发射带,表明其将在纳米光电器件中有潜在应用.另外,Si3N4纳米线发光峰与纳米带的发光相比有少许蓝移(蓝移约4nm),这可能和晶须尺寸的少许差别有关.至于纳米带的发光强度大于纳米线的原因,可能是纳米带的比表面积相对较大,有利于悬键的形成,从而导致材料结构内缺陷的浓度较大.     

Fe3+对KDP晶体光学质量的影响

金属离子Fe3+对KDP晶体的生长和光学性质有明显影响.本文在前期研究的基础上[1]系统考察了该杂质离子对KDP晶体光学质量的影响.实验结果表明,三价金属离子Fe3+会降低KDP晶体的透光率,同时对晶体均匀性和光损伤阈值也有明显影响.光损伤阈值降低的主要原因在于杂质诱发缺陷导致的电子崩电离、多光子电离(尤其是双光子电离)等过程的发生.     

缓冲层ZnPc对有机电致发光器件特性的影响

本文研究了酞菁锌(ZnPc)薄膜的表面形貌及ZnPc薄膜作为缓冲层对有机电致发光器件(OLEDs)光电特性的影响.对比两组样品的AFM图像,ZnPc薄膜相比于ITO薄膜,其表面的岛面积较大,薄膜表面更连续平整,基本上覆盖了ITO膜表面针孔,减少了表面的缺陷.另外,ZnPc薄膜的岛分布均匀有序.使用ZnPc作为缓冲层的器件性能明显好于未使用ZnPc修饰的器件,在7.42V的驱动电压下的最大发光亮度达到1.428kcd/m2,在4.3V电压驱动下时,最大光功率效率为1.411m/W;而未使用缓冲层的器件在8V的驱动电压下达到最大发光亮度达到1.212kcd/m2,在5.5V电压驱动下时,最大光功率效率为0.931m/W.