对纳米硅薄膜高电导机制的探讨

使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算。指出，nc－Si：H股中高电导主要来自于细微晶粒的传导，界面可视之为非导体。另一方面，实验证实nc－Si：H股的电导率随平均品粒尺寸减少而增大，具有明显的小尺寸效应。文中首次提出，nc－Si：H膜的微晶粒具有异质结量子点（HQD）特性，并按此模型对nc－Si：H膜的电导率实验曲线进行了讨论。理论与实验结果符合得很好．又得出，硅薄膜结构在其晶态体积百分比Xc=0．30和0．70处呈现出两个明显的相变点。     

解线性规划问题的梯度投影法

本文叙述了一个求解线性规划问题的梯度投影法,导出了投影矩阵的递推公式,利用此公式可大大减少每次迭代所需的计算量。实例计算表明,本文给出的算法是一有效的算法,在某些方面它要优于Karmarkar算法和单纯形法。     

MCAI课件在物理教学演示实验中的应用模式探讨

结合教学实际 ,对MCAI课件在物理教学演示实验中的应用模式进行探讨 ,指出MCAI课件与常规实物演示实验两种方法的有机结合是提高物理教学质量的有效途径     

格子-BOLTZMANN方法非均分网格的实施

本文提出了格子-Boltzmann方法的一种新的插值算法,使得网格划分与微观粒子运动方向相分离;用该方法模拟了后台阶通道内的突扩流动和二维极坐标下的空腔流.所得结果与传统方法吻合良好,证明了该方法的可行性.     

使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能

使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)拥有一系列物性.以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能.探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等.     

功放通电延时电路

图1所示的电路用来使功放等大功率负载逐渐接通市电电源,以保证开始通电的瞬间电流保持在某一限定值之内,避免烧断电源保险丝。开始通电时引起大电流的元件主要是功放电源电路的变压器和大容量电解电容器。在开始接通电源的瞬间,由于电源变压器的铁芯尚未磁化,电解电容器尚未充电,它们使电源线实际上处于近似短路的瞬时状态,从     

Zeeman原子吸收光谱分析法中谱线轮廓的研究Ⅴ.Ag328.1nm的分析性能

从理论和实验两方面研究和讨论了在ＺＡＡＳ法中，不同调制方式及磁感应强度对Ａｇ３２８．１ｎｍ的分析性能的影响，并取得一致的结果     

用于检测油膜厚度的光纤传感器系统

非接触式光纤传感器因其抗干扰性强、灵敏度高、电绝缘性好等特点在某些场合占有不可替代的位置.本文介绍了一种用于检测大型涡轮机液压轴承运动状态及其周围油膜厚度分布情况的光纤传感器系统.详细讨论了传感器的结构及数据模型,并着重介绍了系统的几个重要组成部分,其中包括双光路、调制解调和并行数据采集等,最后给出了传感器的特性测试数据.     

关于Tuza和Voigt的(Dm,m)-可选择性刻画定理

给出一个不属于Non-D的图,但该图却不是(Dm,m)-可选择的.这表明在Tuza Zs和Voigt M的Non-D定义和(Dm,m)-可选择图的特征化定理中存在一定的冲突.针对如上冲突,对Tuza Zs和Voigh M所给出的Non-D的定义,以及(Dm,m)-可选择图的特征化定理的证明进行了修正.