一种新的亚微米制造技术

已经研制成功一种制作亚微米线宽和器件的新技术。此技术不需要电子束或其它外加的刻蚀技术,而只用常规光刻法和一次边缘选择镀工序。在此工序中,把金属镀到已刻图案的金属层的边缘上。然后,此已镀边缘作为下步等离子腐蚀的掩模,以腐蚀其下层的导体或介质。此技术作出的线宽小至0.04微米,并能用来制造多种微波器件。特别是已用它来制作栅长为0.1微米的镀金铬栅 GaAsMESFET。此法所得 GaAsMESFET 的性能,比得上用比较复杂和花费大的制作栅图案技术制造出来的器件。譬如,在离子注入的 GaAs 上制作的5微米源-漏间距,0.3微米栅长和250微米栅宽的 MESFET,12千兆赫下最大可用增益超过10分贝。     

单块峯值检波器

我们将讨论用于克服频率补偿问题的单块峯值检波器。虽然器件已缩减到一个单块,但仍具有一个小系统的特性。象这样有利于一个系统设计方法,是为了控制电荷注入和输出放大器的场效应晶体管(FET)输入端实现消除高温漏电流的目的,电路设计利用在单块电路中获得的固有的匹配。 图(1)中的典型峯值检波器用了电压放大器和一个二极管或者一个射极跟随器,对电容C_H不定向地充电。A_1“+”端的输出阻抗加上二极管的动态阻抗r_d,组成在反馈回路中确定极点的电阻。二极管的动态阻抗r_d等于(KT/g)/Id,这里Id是对C_H的充电电流。所以极点向S平面的源极转移,其误差等于零。由于极点闭合在系统的反馈回路中,极点移动的本身将不会可观地延长所得时间。但是,在典型的电压放大器的频率补偿中,     

A NOVEL METHOD FOR FABRICATING COMPOSITE MOSAIC MEMBRANE WITH UNIQUE NF SELECTIVITY

A novel method of fabricating composite mosaic membranes was studied on the basis of interracial polymerization （IP） by coating a thin selective layer onto the surface of a micro-porous hollow-fiber membrane, in which, 2,5-diaminobenzene sulfonic acid was used as one monomer of the IP reaction, and a mixture of trimesoyl chloride （TMCI） and 4-（chloromethyl） benzoyl chloride as the other monomer. Through the IP reaction a thin selective layer with negatively charged groups could be first formed on the polyethersulfone （PES） support membrane. Then trimethylamine solution was introduced to modify the IP layer through a quaternization reaction. Thus the selective layer of this composite membrane contained both negatively charged and positively charged groups to perform the mosaic functionality. Characterization of the composite mosaic membranes was carried out through permeation experiments using different inorganic salts and dyes. The experimental results showed that the membranes could permeate both mono- and bi-valent inorganic salts, but reject larger organic molecules. Such a mosaic membrane is potentially useful for the separation of salts from water-soluble organics, especially in dye and textile industries.     

硅片步进机光学系统

菲利浦实验室设计用于直接在硅片上制作集成电路光掩模图形的分步重复投影曝光装置—Silicon Repeater,曾在早期发行的本刊中有过简结的叙述。经过对初始样机的不断改进,目前此技术已日趋成熟,能以更高的分辨率对硅片进行高速曝光。本文阐述了Silicon Repeater 最佳的技术规格——主要由物理极限来确定的可见光光学系統的先进设计。     

新的一代紫外和可见气体激光器

自从第一台稀有气体单卤化物准分子激光器出现后,三年来,紫外和可见气体激光领域已取得了飞速的进展。现在可以得到很多新的高功率的效率超过1%的紫外和可见激光器。本文对这一领域的评述着重介绍这些激光系统的一般特性.并指出它们对工业光化学处理的潜在影响。     

加热的GaAs中锰和铁的热再分布

应用光学、电学、质谱和谐振技术,发现非掺杂的体GaAs样品中锰和铁的本底浓度为(?)10~(15)cm~(-3),当加热时进行再分布,于近表面区形成一个浓度约为10~(17)cm~(-3)的薄(1～3μm)层,并指出锰的再分布能引起表面导电类型的改变。     

CCD像传感器和机器人视觉

机器人在工业领域找到广泛应用之前,有几个技术问题必须提出来。主要问题包括动力学和力学、控制系统、内部模式、编程序方法、机动性、接口以及社会经济意义等。机动性是使机器人发挥最大潜力的关键一步。当前,几乎所有的机器     

圆形区域内香枞芽虫的分布模型

本文讨论圆形区域内芽虫分布模型,特别研究了芽虫与天敌接触时产生与避免outbreak状态的可能性。     

Design Methodology of the Structure of Postal Express Mail Networks of Aviation Channels in China

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｏｒｄｅｒｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｑｕａｌｉｔｙｏｆｐｏｓｔａｌｓｅｒｖｉｃｅａｎｄｔａｋｅａｄｖａｎｔａｇｅｏｆａｕｔｏｍａｔｅｄｍａｉｌｓｏｒｔｉｎｇｅｑｕｉｐ ｍｅｎｔｓ,ｉｔｈａｓｂｅｅｎｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄｔｏｃｏｎｓｔｒｕｃｔｔｈｅｐｏｓｔａｌａｒｅａｃｅｎｔｅｒｏｆｆｉｃｅｓｙｓｔｅｍｉｎＣｈｉｎａＰｏｓｔａｌＳｅｒ ｖｉｃｅ (ＣＰＳ) .ＴｈｅｃｒｕｘｏｆｔｈｅｐｒｏｂｌｅｍｆａｃｅｄｂｙＣＰＳｉｓｔｏｒｅｄｅｓｉｇｎｔｈｅｐｏｓｔａｌｃｏｍｍｕｎｉｃａ…     

用电子或γ射线幅照硅功率器件来控制寿命

提要控制降低高频硅功率整流器和半导体开关元件内少数载流子寿命,已经成为可能。关于用0.8～12兆电子伏能量的电子和Co~(60)γ射线,辐照硅功率器件,改变器件的开关性能的有效性已进行研究,并与金或铂扩散器件进行了比较。在两极管中,正向电压降和反向恢复电荷或反向恢复时间,在半导体开关元件内正向电压降和断开时间,由金扩散器件提供了最佳的协调。但是,由于金扩散器件的泄漏电流大,限止了它的最高运行温度,使这个优点被稍微抵销。此外,辐照提供了更为精确,均匀和重复的寿命控制方法。