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931.
A baseband receiver IC which will be incorporated into a low-power frequency-hopped spread spectrum (FH/SS) transceiver for 902-928 MHz ISM band applications is presented. The chip performs noncoherent binary/quaternary frequency shift keying (FSK) demodulation, equal-gain diversity combining of dual antenna branches, and symbol and frequency synchronization. The chip also accommodates variable data rates from 2 to 160 kb/s, programmable hop rates, and tunable bandwidth Loop filters. The core area of the 1-μm CMOS chip is 3.9 mm×3.9 mm with a power consumption of 4.5 mW at 10 MHz from a 3-V supply. A baseband transceiver system utilizing this receiver chip for the prototype handset to demonstrate a point-to-point communication link is also described. Two XILINX FPGA chips were used to implement the remainder of the baseband transceiver functions, including frequency control logic for FSK modulation, acquisition control, data framing, symbol interleaving and deinterleaving, and interface control for data and voice 相似文献
932.
本文研究了鸟瞟呤(Gua)和次黄嘌呤(Hxa)铜络合物在悬汞电极(HMDE)上的吸附作用和电极反应机理,溶液中形成的1:1络合物有强烈吸附性,通过分子结构的比较,推断出Cu~(2+)与Gua和Hxa的咪唑环N(7)和外环氧O(6)原子结合形成封闭的五元环。嘌呤环的π-电子有使分子呈平面吸附的趋势,但是Gua络合物分子优先取“倾斜”定向;随着表面吸附浓度增加,Hxa络合物分子存在从“平面”向“垂直”的再定向作用。本文测定了单层吸附浓度、包含的电量和每个分子占据的面积。络合物吸附得到S形等温线,它与Frumkin吸附等温线接近。本文还列出有关吸附参数B、a、△G_A~O和θ~*的计算结果。 相似文献
933.
934.
添加尖晶石对氧化锌压敏电阻性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过添加尖晶石(Zn7Sb2O(12))改性研制出电位梯度为100V/mm左右,压敏电压在82~150V,通流容量可达1600A/cm2,漏电流<2μA系列压敏电阻器,从而满足了国内电话交换机行业对82V、100V、120V、150V压敏电阻器的电性能要求。从工艺的角度解释了尖晶石对氧化锌瓷晶粒的作用原理,并分析了尖晶石的微观结构及粒度对瓷片电性能的影响。 相似文献
935.
我们研制了一种8毫米波变张角、半径突变的多模圆锥馈源。计算出其模比并推导出其辐射方向图公式;给出其在两个主平面——E平面与H平面上的辐射方向图和波束场分布特性的测试结果以及电压驻波比VSWR的测量结果;同时给出频带和旁瓣特性。分析与测试共同表明,在34.5GHz~37GHz频带里,该多模馈源的辐射图在大于24dB范围内获得幅度等化且不出现旁瓣,因此具有一定的应用价值。 相似文献
936.
937.
ST-4型全自动辊道双推板窑是为永磁铁氧体规模生产而研制的一种节能型空气烧结窑。它根据永磁铁氧体烧结的工艺要求,设计了合理的温区,使规模生产烧结成品率达95%以上;采用辊道推板相结合的窑床形式与复合保温结构,达到了永磁铁氧体能耗1.2kwh/kg;采用优化设计,使设备性能先进,稳定可靠。 相似文献
938.
Fa‐Yan Meng Xu‐Qing Liu Seik Weng Ng 《Acta Crystallographica. Section C, Structural Chemistry》2007,63(7):m341-m342
The terephthalate dianion and the bis(imidazolyl)benzene ligand of the title compound, {[Zn(C8H4O4)(C20H14N4)]·C2H6O}n, each bridges two adjacent zinc centers, resulting in a layer‐type coordination polymer; the zinc center shows tetrahedral coordination. The disordered ethanol solvent molecules occupy the spaces between the layers and are hydrogen bonded to the layers. The two symmetry‐independent dianions lie on different inversion sites. 相似文献
939.
940.
GAOHui LIYan YANGLi-ping DENGHong 《半导体光子学与技术》2005,11(2):85-88,106
Hexagonal microtube ZnO was firstly grown on single crystal p-Si (111) substrates by hydrothermal method, and fabricated Ag/n-ZnO and Au/n-ZnO Schottky junction. Schottky effective barrier heights were calculated by I-V measurement. It is confirmed that the presence of a large amount of surface states related possibly to lattice imperfections existed near the surface leads to the pinning of the surface Fermi level at 0.35 eV below the conduction-band edge. Then the fabricated Schottky barrier junctions are evaluated for their use as UV photodetectors. 相似文献