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131.
本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.  相似文献   
132.
A new discontinuous modulation method based on space-vector control is proposed and analyzed. The proposed technique employs a pulse-dropping method and is designed in the time domain. It features a very wide modulation range while maintaining the required waveform qualities and switching numbers in the overmodulation region. Since the modulation method and modulation index equation are simple, the proposed technique can be easily implemented by software and is applicable to the overmodulation region in ac motor drives. The performance indexes are discussed and experiments have been performed.  相似文献   
133.
Li[NixLi(1/3−2x/3)Mn(2/3−x/3)]O2 (X=0.17, 0.25, 0.33, 0.5) compounds are prepared by a simple combustion method. The Rietvelt analysis shows that these compounds could be classified as having the α-NaFeO2 structure. The initial charge-discharge and irreversible capacity increases with the decrease of x in Li[NixLi(1/3−2x/3)Mn(2/3−x/3)]O2. Indeed, Li[Ni0.50Mn0.50]O2 compound shows relatively low initial discharge capacity of 200 mAh/g and large capacity loss during cycling, with Li[Ni0.17Li0.22Mn0.61]O2 and Li[Ni0.25Li0.17Mn0.58]O2 compounds exhibit high initial discharge capacity over 245 mAh/g and stable cycle performance in the voltage range of 4.8 -2.0 V. On the other hand, XANES analysis shows that the oxidation state of Ni ion reversibly changes between Ni2+ and about Ni3+, while the oxidation state of Mn ion sustains Mn4+ during charge-discharge process. This result does not agree with the previously reported ‘electrochemistry model’ of Li[NixLi(1/3−2x/3)Mn(2/3−x/3)]O2, in which Ni ion changes between Ni2+ and NI4+. Based on these results, we modified oxidation-state change of Mn and Ni ion during charge-discharge process.  相似文献   
134.
In this paper, we prove the Hyers-Ulam-Rassias stability of homomorphisms in quasi-Banach algebras associated to the Pexiderized Cauchy functional equation. This is applied to investigate homomorphisms between quasi-Banach algebras. The concept of Hyers-Ulam-Rassias stability originated from Th.M. Rassias' stability theorem that appeared in his paper [Th.M. Rassias, On the stability of the linear mapping in Banach spaces, Proc. Amer. Math. Soc. 72 (1978) 297-300].  相似文献   
135.
The authors report the implementation of deep-submicrometer Si MOSFETs that at room temperature have a unity-current-gain cutoff frequency (fT) of 89 GHz, for a drain-to-source bias of 1.5 V, a gate-to-source bias of 1 V, a gate oxide thickness of 40 Å, and a channel length of 0.15 μm. The fabrication procedure is mostly conventional, except for the e-beam defined gates. The speed performance is achieved through an intrinsic transit time of only 1.8 ps across the active device region  相似文献   
136.
本文对低叠合面钢筋破简支在合梁二阶段受力的斜截面抗剪性能进行了试验研究,并运用非线性有限元分析和试验实测数据,得出了一个适合于集中荷载下高低叠合面叠合梁的抗剪强度计算公式.  相似文献   
137.
钒酸钇晶体及其在光纤通信中的应用   总被引:3,自引:2,他引:1  
钒酸钇(YVO4)晶体具有良好的机械和物理特性,近年在光纤通信器件制造生产中得到了广泛的应用。本文介绍了基于YVO4晶体为材料的隔离器、环行器和交叉波分复用的功能及其原理结构。  相似文献   
138.
复Finsler流形上的Koppelman-Leray-Norguet公式   总被引:1,自引:1,他引:0  
邱春晖  钟同德 《数学学报》2007,50(3):641-652
利用不变积分核(Berndtsson核),复Finsler度量和联系于Chern-Finsler联络的非线性联络,研究复Finsler流形上具有逐块光滑C~((1))边界的有界域上(p,q)型微分形式的积分表示,得到了(p,q)型微分形式的Koppelman-Leray-Norguet公式和■-方程的解.作为应用,利用复Finsler度量和联系于Chern-Finsler联络的非线性联络,给出了Stein流形上具有逐块光滑C~((1))边界的有界域上(p,q)型微分形式的Koppelman- Leray-Norguet公式以及■-方程的解,并且得到了Stein流形上实非退化强拟凸多面体上(p,q)型微分形式的积分表示式和■-方程的解.  相似文献   
139.
随着深亚微米集成电路技术的发展,集成电路的规模越来越大,工作频率越来越高,并正朝着系统集成的方向发展,因而在模拟速度,模拟精度和可模拟的电路规模等各个方面对电路仿真技术提出了新的要求。近年来,各种新的电路仿真方法和仿真系统用相继脱颖百出,并将取代那些传统的,已经无法适应深亚微米技术发展的电路仿真器。  相似文献   
140.
A new compact millimeter-wave distance-measurement sensor prototype has been developed. The sensor is a step-frequency radar implemented using coherent heterodyne technique. It operates in Ka-band (26.5-40 GHz) and is realized using MICs and MMICs. The sensor transmits sinusoidal signals of incremental frequencies and demodulates the received signals into base-band I/Q signals for processing. Experimental results show that the sensor is capable of measuring distance with less than 0.2 inch of absolute error and a low transmitted power of only -20±3 dBm  相似文献   
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