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Chorng-Kuang Wang Po-Chiun Huang Chen-Yi Huang 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》1996,31(8):1197-1200
This paper presents a Synchronous Optical NETwork (SONET) OC-3 155.52 Mb/s limiting amplifier, which is implemented in a 1.0 μm double-poly double-metal N-well BiCMOS technology. Composed of amplifier cells, a slicer, an output driver, and offset cancellation circuits, this limiting amplifier allows an input dynamic range of 36 dB (6 mVpp~400 mVpp) and provides a constant output 1 V pp across a 50 Ω load for long-haul 40 km application. The active area of this limiting amplifier is 0.8 mm×3.0 mm. It consumes 130 mW from a single -5 V supply voltage 相似文献
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本文将t(t是大于2的整数)元整系数多项式看成为系数为t-2元整系数多项式的二元多项式,建立了多元整系数多项式因式分解的一种新理论,进而得到了分解多元整系数多项式的一个有力的算法。 相似文献
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Y. Jao W. L. Cheng H. J. Chen C. C. Shaeh C. C. Huang Y. M. Lin 《Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry》1995,194(2):411-417
This study was performed under the joint TRMC/INER program for the determination of low level85Kr and133Xe concentrations in the environmental air samples. Based on cryogenic adsorption of krypton and xenon on charcoal followed by chromatographic separation from other gases, the85Kr and133Xe recovered from 200 liters of atmospheric air can be determined by either on-line gas flow proportional counter or liquid scintillation counting. The recovery yields of krypton and xenon examined by using85Kr and133Xe tracers were nearly 100%. The minimum detectable activity of85Kr and133Xe by gas flow proportional counting is about 7.40 Bq. The method is satisfactory for environmental monitoring applications under abnormal conditions of nuclear facilities. However, for lower level environmental85Kr and133Xe measurements, the liquid scintillation counting method can be applied due to their extremely low detection limits (i.e. 0.107 Bq and 0.093 Bq for85Kr and133Xe, respectively). Using this method, the measurable limits of concentrations are 0.535 Bq/m3 and 0.466 Bq/m3 for85Kr and133Xe, respectively. 相似文献
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A closed-form physical model is reported for VLSI bipolar devices considering energy transport. Based on the model, for a base width of 810 Å, the bipolar device, biased at Vcb=2 V, has a peak electron temperature of over 700 K, which results in a 5% reduction in the collector current 相似文献
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聚合物分散液晶光栅的衍射特性的研究 总被引:9,自引:4,他引:5
报道了一种由聚合物分散液晶膜与具有周期性条状电极结构板结合的新型光栅器件,借助于聚合物分散液晶膜的电光特性,这种栅对入射光的散射或衍射取决于对其施加的电压,即它是电场可调的,实验结果显示出当驱动电压超过器件器件阈值电压时,衍射光的强度和衍射斑的可见级次被电场调制,而且它能入射光的线性偏振态变为椭圆偏振态。 相似文献
348.
Gain-enhanced compact broadband microstrip antenna 总被引:1,自引:0,他引:1
Chih-Yu Huang Jian-Yi Wu Cheng-Fu Yang Kin-Lu Wong 《Electronics letters》1998,34(2):138-139
With the loading of a high-permittivity superstrate layer and a 1 Ω chip resistor, a compact rectangular microstrip antenna with enhanced gain and wider bandwidth can be implemented. With the antenna size reduced to be ~6% that of a conventional patch antenna, the proposed structure can have an operating bandwidth of more than six times that of a conventional patch antenna, with an almost equal antenna gain level. Details of the experimental results are presented and discussed 相似文献
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