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绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景.采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变锗材料.喇曼与室温光致发光(PL)测试结果表明,不同圆形半径的绝缘体上锗材料张应变均为0.54%.对于绝缘体上张应变锗材料,应变使其发光红移的效果强于量子阱使其发生蓝移的效果,总体将使绝缘体上张应变锗材料的直接带发光峰位红移.同时0.54%张应变锗材料的直接带发光强度随着圆形半径的增大而减弱,这主要是因为圆形半径大的样品其晶体质量较差.该材料可进一步用于制备锗微电子和光电子器件. 相似文献
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在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RFMEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RFMEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RFMEMS微机械开关的下拉电压.用TE2 819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0 32 pF、6 pF和2 5V .用HP875 3C网络分析仪对RFMEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RFMEMS微机械开关在频率1 5GHz下关态的隔离度为35dB ,开态的插入损耗为2dB ,用示波器测得该开关的开关 相似文献
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High‐Strength and High‐Toughness Double‐Cross‐Linked Cellulose Hydrogels: A New Strategy Using Sequential Chemical and Physical Cross‐Linking 下载免费PDF全文
Dan Zhao Junchao Huang Yi Zhong Kai Li Lina Zhang Jie Cai 《Advanced functional materials》2016,26(34):6279-6287
Polysaccharide‐based hydrogels have multiple advantages because of their inherent biocompatibility, biodegradability, and non‐toxicic properties. The feasibility of using polysaccharide‐based hydrogels could be improved if they could simultaneously fulfill the mechanical property and cell compatibility requirements for practical applications. Herein, the construction of double‐cross‐linked (DC) cellulose hydrogels is described using sequential chemical and physical cross‐linking, resulting in DC cellulose hydrogels that are mechanically superior to single‐cross‐linked cellulose hydrogels. The formation and spatial distribution of chemically cross‐linked domains and physically cross‐linked domains within the DC cellulose hydrogels are demonstrated. The molar ratio of epichlorohydrin to anhydroglucose units of cellulose and the concentration of the aqueous ethanol solution are two critical parameters for obtaining mechanically strong and tough DC cellulose hydrogels. The mechanical properties of the DC cellulose hydrogels under loading‐unloading cycles are described using compression and tension models. The possible toughening mechanism of double‐cross‐linking is discussed. 相似文献
997.
超低副瓣相控阵天线设计中的几个问题 总被引:8,自引:0,他引:8
本文论述了超低副瓣相控阵天线的设计方法,它涉及诸多因素,这里主要研究诸如阵列单元互耦,单元与馈电系统之间的传输变换段,阵列激励与位置误差,以及单元通道校准问题。 相似文献
998.
1000.