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181.
VHDL逻辑综合及FPGA实现 总被引:2,自引:1,他引:1
运用VHDL语言描述了一个12×12位的高速补码阵列乘法器。重点是运用VHDL逻辑综合优化该乘法器,并进行了乘法器的XilinxFPGA实现、功能仿真和时序仿真。经选用XC4005PC-84-4芯片进行验证,证明了其正确性 相似文献
182.
超软X射线流气式正比计数管 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种用于测量183~933eV超软X射线的圆柱形、侧窗式、流气式正比计数管,工作气体是0.11MPa的P-10气体或氦气-丙烷混合气体。计数管内径为φ25mm,直径为φ0.3mm的入射窗是由厚度80~90μgcm~2聚乙烯甲醛制成的。该计数管的特点:(1)薄窗,对软X射线透过率高。(2)流气式,工作寿命长。(3)能量分辨率好。(4)计数率高(1×10~(14)个/s)。(5)可测能区宽(0.183~10keV)。(6)可以方便更换窗膜材料、厚度及窗口直径。近几年来该计数管已经为高强度低能X光源提供较好监测。 相似文献
183.
184.
185.
186.
J. W. Huang J. M. Ryan K. L. Bray T. F. Kuech 《Journal of Electronic Materials》1995,24(11):1539-1546
The defect engineering in metalorganic vapor phase epitaxy InxGa1-xAs and InP by controlled oxygen doping using diethyl aluminum ethoxide (DEALO) was developed in this study. DEALO doping has
led to the incorporation of Al and O, and the compensation of shallow Si donors in InxGa1−xAs: Si with 0 ≤ x ≤ 0.25. With the same DEALO mole fraction during growth, the incorporation of Al and O was found to be independent
of x, but the compensation of Si donors decreases with increasing In content. Deep level transient spectroscopy analysis on
a series of InxGa1-xAs: Si. samples with 0 ≤ x ≤ 0.18 revealed that oxygen incorporation led to a set of deep levels, similar to those found in
DEALO doped GaAs. As the In composition was increased, one or more of these deep levels became resonant with the conduction
band and led to a high electron concentration in oxygen doped In0.53Ga0.47As. Low temperature photoluminescence emission measurements at 12K on the same set of samples revealed the quenching of the
near-band edge peak, and the appearance of new oxygen-induced emission features. DEALO doping in InP has also led to the incorporation
of Al and O, and the compensation of Si donors due to oxygen-induced multiple deep levels. 相似文献
187.
188.
In this article, the development of a circularly polarized microstrip array with 28 dBic of gain at 32 GHz is presented. Two primary objectives of this development are minimizing the microstrip array's insertion loss and maintaining a reasonable frequency bandwidth (3%). The parallel/series feed technique for the array's power distribution circuit and the sequential rotation method for the element arrangement are employed to meet these objectives 相似文献
189.
以行波半导体光放大器速度方程为基础,采用传输矩阵方法,对锥形结构半导体光放大器的增益和饱和特性进行理论研究。讨论了不同锥形长度,不同结构时的增益和饱和特性差异。理论研究表明,锥形结构能改善半导体光放大器的偏振灵敏度。在同一锥度下,长锥形长度能提高饱和增益,降低偏振度。在进行半导体光放大器有源条结构设计时要综合考虑锥度及锥形长度的影响,以实现结构优化 。 相似文献
190.