首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   38343篇
  免费   4838篇
  国内免费   3545篇
化学   20329篇
晶体学   287篇
力学   1918篇
综合类   273篇
数学   3293篇
物理学   10176篇
无线电   10450篇
  2024年   88篇
  2023年   892篇
  2022年   846篇
  2021年   1250篇
  2020年   1343篇
  2019年   1259篇
  2018年   1066篇
  2017年   1014篇
  2016年   1458篇
  2015年   1506篇
  2014年   1879篇
  2013年   2486篇
  2012年   3032篇
  2011年   3132篇
  2010年   2125篇
  2009年   2149篇
  2008年   2285篇
  2007年   2157篇
  2006年   2009篇
  2005年   1729篇
  2004年   1249篇
  2003年   1144篇
  2002年   1020篇
  2001年   809篇
  2000年   867篇
  1999年   941篇
  1998年   849篇
  1997年   776篇
  1996年   874篇
  1995年   690篇
  1994年   630篇
  1993年   539篇
  1992年   508篇
  1991年   409篇
  1990年   326篇
  1989年   240篇
  1988年   189篇
  1987年   159篇
  1986年   157篇
  1985年   132篇
  1984年   100篇
  1983年   67篇
  1982年   46篇
  1981年   38篇
  1980年   21篇
  1978年   23篇
  1977年   25篇
  1976年   21篇
  1975年   34篇
  1974年   28篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 306 毫秒
91.
Current methodologies used for the inference of thin film stress through curvature measurement are strictly restricted to stress and curvature states that are assumed to remain uniform over the entire film/substrate system. These methodologies have recently been extended to a single layer of thin film deposited on a substrate subjected to the non-uniform misfit strain in the thin film. Such methodologies are further extended to multi-layer thin films deposited on a substrate in the present study. Each thin film may have its own non-uniform misfit strain. We derive relations between the stresses in each thin film and the change of system curvatures due to the deposition of each thin film. The interface shear stresses between the adjacent films and between the thin film and the substrate are also obtained from the system curvatures. This provides the basis for the experimental determination of thin film stresses in multi-layer thin films on a substrate.  相似文献   
92.
一种高精度的CMOS带隙基准电压源   总被引:4,自引:0,他引:4  
设计了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源.该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达3×10-6/℃,电源抑制比可达75 dB.还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.  相似文献   
93.
AMBE-1000声码器接口电路设计方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
DVSI公司的AMBE-1000声码器芯片是一款高性能的全双工、实时语音压缩编解码芯片,可以应用于卫星通信、保密通信、视频会议等领域.文中简要介绍AMBE-1000声码器的A/D-D/A接口以及信道接口的工作原理;结合实例分别给出了AMBE-1000声码器与PCM编解码器MC14LC5480的A/D-D/A接口电路、与单片机AT89C51的信道接口电路的设计方法;最后指出了电路设计中应该注意的问题.  相似文献   
94.
液晶显示器(LCD)的发展使人们对视觉显示的要求越来越高,彩色屏的可显颜色丰富程度和单色屏的灰度等级越多,视觉效果越好.想要达到好的视觉效果,除了LCD屏本身的指标要求外,还应有与之相匹配的LCD控制器.据此,文中讨论了基于EP7312微处理器的LCD控制器的8位并行超扭曲向列(STN)彩色LCD模块Optrex DMF50944和4位并行单色LCD模块Sharp LM32019T的16级灰度实现问题,并介绍了实现16级灰度的原理和实现方法.最后给出了该LCD控制器与8位并行STN彩色LCD模块的硬件接口、程序设计方案及流程.  相似文献   
95.
3G认证和密钥分配协议的形式化分析及改进   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了第三代移动通信系统所采用的认证和密钥分配(AKA)协议,网络归属位置寄存器/访问位置寄存器(HLR/VLR)对用户UE(用户设备)的认证过程和用户UE对网络HLR/VLR的认证过程分别采用了两种不同的认证方式,前者采用基于"询问-应答"式的认证过程,后者采用基于"知识证明"式的认证过程.使用BAN形式化逻辑分析方法分别对这两种认证过程进行了分析,指出在假定HLR与VLR之间系统安全的前提下,基于"知识证明"式的认证过程仍然存在安全漏洞.3GPP采取基于顺序号的补充措施;同时,文中指出了另一种改进方案.  相似文献   
96.
关于本地传输网网络优化的探讨   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据长期工作经验,对现有网络存在的问题进行分析,提出对本地传输网网络优化的有关建议。  相似文献   
97.
关于海面无线传播模型的探讨   总被引:3,自引:0,他引:3  
现有文献中一般都认为海面环境的无线传播模型近似于自由空间传播模型,但在实际测试中发现,自由空间模型预测值与实测值差别较大,不能很好地解释此类环境的信号传播。笔者根据多次海面覆盖测试的数据,分析并拟合出了新的海面传播模型。  相似文献   
98.
二次阳极氧化方法制备有序多孔氧化铝膜   总被引:14,自引:0,他引:14  
通过二次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜与一次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜孔排布规律性的对比 ,结果发现 ,二次阳极氧化方法制取的多孔氧化铝膜孔排布规律性明显好于一次阳极氧化法制取的多孔膜 .在几个微米范围内 ,孔呈理想的六角排布 .去除一次阳极氧化膜后 ,二次阳极氧化得以在更良好的表面进行 ,制取的氧化铝膜孔规律性和有序度更高 .有序区域的尺寸与晶粒内的亚晶大小有一定关系  相似文献   
99.
黄翔 《运筹学学报》2005,9(4):74-80
近年来,决定椭圆型方程系数反问题在地磁、地球物理、冶金和生物等实际问题上有着广泛的应用.本文讨论了二维的决定椭圆型方程系数反问题的数值求解方法.由误差平方和最小原则,这个反问题可化为一个变分问题,并进一步离散化为一个最优化问题,其目标函数依赖于要决定的方程系数.本文着重考察非线性共轭梯度法在此最优化问题数值计算中的表现,并与拟牛顿法作为对比.为了提高算法的效率我们适当选择加快收敛速度的预处理矩阵.同时还考察了线搜索方法的不同对优化算法的影响.数值实验的结果表明,非线性共轭梯度法在这类大规模优化问题中相对于拟牛顿法更有效.  相似文献   
100.
A closed but approximate formula of Green’s function for an arbitrary aggregate of cubic crystallites is given to derive the e?ective elastic sti?ness tensor of the polycrystal. This formula, which includes three elastic constants of single cubic c…  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号