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本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件,制备了优质非晶氮化硅薄膜,其介电常数为7.5、击穿强度为5.5MV/cm、电导率为10-13(Ωcm)-1。 相似文献
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双旋Y切石英振子厚度模式的频温特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用描述固体中弹性声波的克里斯托费尔方程,建立了双旋Y切石英振子厚度模式的频温特性分析方法,并编制了相应的计算机程序。该程序可给出双旋Y切石英振子在任意切角(ф_3ф_1)下的厚度模(a、b、c模)的频率温度特性曲线。文中给出了单旋AT切、BT切(b模)、双旋SC切(b、c模)、FC切、IT切、LC切、NL_1切、NL_2切、AK切等各已知切型的频温特性曲线。对石英谐振器的切角灵敏度和切角误差进行了分析。 相似文献
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Qingxue Huang 《Journal of Graph Theory》1991,15(1):1-6
Graham and Pollak [3] proved that n ?1 is the minimum number of edge-disjoint complete bipartite subgraphs into which the edges of Kn can be decomposed. Using a linear algebraic technique, Tverberg [2] gives a different proof of that result. We apply his technique to show that for “almost all n,” ? (n + m ?3)/(m ?1) ? is the minimum number of edge-disjoint complete m-partite subgraphs in a decomposition of Kn. 相似文献
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A theoretical equation has been developed to described the rate of slow crack growth in an ethylene-hexene copolymer in terms of the basic morphological parameters. These parameters are spacing of the butyl branches, number of tie molecules, and the thickness of the lamellar crystal. Experimentally, the thickness of the lamellae and the long period were determined as functions of the branch density. The calculation of the number of tie molecules is based on the values of the molecular weight and the long period. The model of slow crack growth is based on the rate of disentanglement of the tie molecules. The rate of disentanglement varies inversely with the number of tie molecules and directly with the number of tie molecules that are not pinned by the branches. 相似文献
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牙齿化石中由辐照产生的陷阱电子的热稳定性研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文对周口店北京猿人遗址的动物牙齿化石进行了辐照产生的陷阱捕获电子的热稳定性研究和釉质样品及牙质样品的热稳定性对比实验。得到釉质样品中g=2.0016 ESR峰的寿命为7.1×106年(20℃)。说明了取该峰进行ESR年代测定的可信性和用釉质样品进行ESR年代测定的必要性。 相似文献
59.
Zi‐Cai Li Tzon‐Tzer Lu Hung‐Tsai Huang Alexander H.‐D. Cheng 《Numerical Methods for Partial Differential Equations》2007,23(1):93-144
In this article we survey the Trefftz method (TM), the collocation method (CM), and the collocation Trefftz method (CTM). We also review the coupling techniques for the interzonal conditions, which include the indirect Trefftz method, the original Trefftz method, the penalty plus hybrid Trefftz method, and the direct Trefftz method. Other boundary methods are also briefly described. Key issues in these algorithms, including the error analysis, are addressed. New numerical results are reported. Comparisons among TMs and other numerical methods are made. It is concluded that the CTM is the simplest algorithm and provides the most accurate solution with the best numerical stability. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. Numer Methods Partial Differential Eq, 2007 相似文献
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Ming-Jer Chen Kum-Chang Chao Tzuen-Hsi Huang Jyh-Min Tsaur 《Electron Device Letters, IEEE》1992,13(12):654-657
The buried-type p-channel LDD MOSFETs biased at high positive gate voltage exhibit novel characteristics: (1) the ratio of the drain to gate currents is about 1×10-3 to 5×10-3; and (2) the gate and drain currents both are functions of only the gate voltage minus the n-well bias. Such characteristics are addressed based on the formation of the surface n + inversion layer due to the punchthrough of the buried channel to the underlying shallow p-n junction. The measured gate current is due to the Fowler-Nordheim tunneling of electrons from this inversion layer surface and the holes generated within the high-field oxide constitute the drain current. The n+ inversion layer surface potential is found to be equal to the n-well bias plus 0.55 V. As a result, both the oxide field and the gate and drain currents are independent of drain voltage 相似文献