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191.
气体放电击穿过程的物理和数值研究 总被引:1,自引:0,他引:1
胡希伟 《核聚变与等离子体物理》1994,14(1):44-50
本文对低气压(10^-2Pa)热阴极气体放电的击穿过程给出了物理描述和相应的双流体数学型,并发展了一种选择和调整未知初始条件的有效算法,可以通过伴随试射法得到对初始条件十分敏感的非线性两点边值常微分方程组的数值解,从而给出这类气体放电中击穿过程的定量描述。 相似文献
192.
线性嵌套阵可以很好地在很宽的频率(N个倍频程,N=7)上实现恒定束宽。这种方法设计简单,又节省线阵阵元。本文给出了线性嵌套阵具体的数字化实现方法,解决了FIR滤波器设计,滤波器时间延迟等问题。由于数字化实现过程中使用了很多组FIR滤波器,计算量很大,文章采用了DSP信号处理板实现数字化算法,利用DSP处理板可以多任务同时处理优势,解决了计算量大的问题。经过实验验证,在DSP上实现的数字化的线性嵌套阵宽带恒定束宽方法满足了工程上实时处理的需要。 相似文献
193.
本文阐述了时间压缩信号及其频谱、各种差分信号的产生方法及频带压缩过程.最后对图象带宽为4.2MHz的TV系统用8.4MHz带宽传送三个TV信号的具体执行力式作了介绍. 相似文献
194.
195.
本文介绍了根据信号码的相互独立性,利用噪声情况下盲信号分离的原理,实现非最小相位通道特性的盲均衡。 相似文献
196.
新建微波干线电路采用高质量的数字微波设备是广电部科技工作会议的精神之一。本文介绍了江苏苏南数字微波线路,并从方案确定、技术实现、设备选型等方面进行分析比较,从而得到一个合理的整体方案。本文还着重阐述了数字传输的关键设备-编码器的现状与发展趋势,提出广播电视专用网多功能应用的设想。 相似文献
197.
短毫米波和亚毫米波接收机的发展现状 总被引:1,自引:0,他引:1
本文概述了短毫米和亚毫米波接收机的发展现状,介绍了接收机的重要组成部件:混频器、振荡器和放大器的发展水平以及毫米波单片集成电路的现状,给出了接收机的最新性能指标。 相似文献
198.
Ma Z.J. Chen J.C. Liu Z.H. Krick J.T. Cheng Y.C. Hu C. Ko P.K. 《Electron Device Letters, IEEE》1994,15(3):109-111
It has been reported that high-temperature (~1100°C) N2 O-annealed oxide can block boron penetration from poly-Si gates to the silicon substrate. However, this high-temperature step may be inappropriate for the low thermal budgets required of deep-submicron ULSI MOSFETs. Low-temperature (900~950°C) N2O-annealed gate oxide is also a good barrier to boron penetration. For the first time, the change in channel doping profile due to compensation of arsenic and boron ionized impurities was resolved using MOS C-V measurement techniques. It was found that the higher the nitrogen concentration incorporated at Si/SiO2 interface, the more effective is the suppression of boron penetration. The experimental results also suggest that, for 60~110 Å gate oxides, a certain amount of nitrogen (~2.2%) incorporated near the Si/SiO2 interface is essential to effectively prevent boron diffusing into the underlying silicon substrate 相似文献
199.
中国宽带业务的发展面临诸多问题:内容建设严重滞后于网络建设、缺少盈利的“杀手”业务、服务水平尚未达到宽带需求、恶性竞争产生网络泡沫以及产业环境尚不完善等。要想改善现状,宽带接入建设应采取下列措施:借助政府力量、联合社会力量、准确定位市场、丰富接入手段以及加强技术培训等。 相似文献
200.