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81.
有机发光器件(OLED)具有固体平板化的优点,用OLED制做平板显示器不仅重量轻和功耗低,而且能实现低成本的彩色大屏幕显示。本文从有机发光器件的原理出发,阐述了有机发光器件平板显示器的三色象元的一些实现方案和目前的发展状况,并对它们的基本结构及技术特点进行了比较。 相似文献
82.
Browder-Petryshyn 型的严格伪压缩映射的粘滞迭代逼近方法 总被引:1,自引:0,他引:1
主要研究Browder-Petryshyn型的严格伪压缩映射的粘滞迭代逼近过程,证明了Browder-Petryshyn型的严格伪压缩映射的不动点集F(T)是闭凸集.在q-一致光滑且一致凸的Banach空间中,对于严格伪压缩映射T,利用徐洪坤在2004年引进的粘滞迭代得到的序列弱收敛于T的某个不动点.同时证明了Hilbert空间中Browder-Petryshyn型的严格伪压缩映射的相应迭代序列强收敛到T的某个不动点,其结果推广与改进了徐洪坤2004年的相应结果. 相似文献
83.
The impact of fabrication errors on a planar waveguide demultiplexer is analyzed based on an analytical method. The explicit
expression of the transfer function taking into account phase and amplitude errors is presented in order to analyze the loss
and crosstalk of the demultiplexer caused by fabrication errors. A basic requirement for the demultiplexer with a certain
crosstalk criterion can be easily obtained. Using an etched diffraction grating demultiplexer as an example, it is shown that
the analytical results have a good agreement with results from a numerical method. 相似文献
84.
85.
McIntyre H. Wendell D. Lin K.J. Kaushik P. Seshadri S. Wang A. Sundararaman V. Ping Wang Song Kim Hsu W.-J. Hee-Choul Park Levinsky G. Jiejun Lu Chirania M. Heald R. Lazar P. Dharmasena S. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2005,40(1):52-59
A 4-MB L2 data cache was implemented for a 64-bit 1.6-GHz SPARC(r) RISC microprocessor. Static sense amplifiers were used in the SRAM arrays and for global data repeaters, resulting in robust and flexible timing operation. Elimination of the global clock grid over the SRAM array saves power, enabled by combining the clock information with array select signals. Redundancy was implemented flexibly, with shift circuits outside the main data array for area efficiency. The chip integrates 315 million transistors and uses an 8-metal-layer 90-nm CMOS process. 相似文献
86.
87.
88.
凸体的曲率映象与仿射表面积 总被引:4,自引:0,他引:4
本文研究了一些特殊凸体与其极体的曲率仿射表面积乘积的下界.对任意两个凸体,建立了它们的投影体的混合体积与其仿射表面积的一个不等式(见文[1-15]). 相似文献
89.
The dry etching characteristics of transparent and conductive indium-zinc oxide (IZO) films have been investigated using an inductively coupled high-density plasma. While the Cl2-based plasma mixture showed little enhancement over physical sputtering in a pure argon atmosphere, the CH4/H2/Ar chemistry produced an increase of the IZO etch rate. On the other hand, the surface morphology of IZO films after etching in Ar and Ar/Cl2 discharges is smooth, whereas that after etching in CH4/H2/Ar presents particle-like features resulting from the preferential desorption of In- and O-containing products. Etching in CH4/H2/Ar also produces formation of a Zn-rich surface layer, whose thickness (∼40 nm) is well-above the expected range of incident ions in the material (∼1 nm). Such alteration of the IZO layer after etching in CH4/H2/Ar plasmas is expected to have a significant impact on the transparent electrode properties in optoelectronic device fabrication. 相似文献
90.
A proposal is presented for teleporting Schrding-cat states. The process of the teleportation is achieved through the dispersive atom-cavity-field interaction. In this proposal, only measurement on the cavity field and on the singlet atomic states are used. 相似文献