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51.
论文将Fermat素性检验的思想运用于不可约多项式的判断,给出了一个对于不可约判断问题的Monte Carlo 算法,分析了该算法的计算复杂度问题,并且给出了次数在200以内的检验结果。  相似文献   
52.
This paper proposes a novel low-leakage BiCMOS deep-trench (DT) diode in a 0.18-/spl mu/m silicon germanium (SiGe) BiCMOS process. By means of the DT and an n/sup +/ buried layer in the SiGe BiCMOS process, a parasitic vertical p-n-p bipolar transistor with an open-base configuration is formed in the BiCMOS DT diode. Based on the two-dimensional (2-D) simulation and measured results, the BiCMOS DT diode indeed has the lowest substrate leakage current as compared to the conventional p/sup +//n-well diode even at high temperature conditions, which mainly results from the existence of the parasitic open-base bipolar transistor. Considering the applications of the diode string in electrostatic discharge (ESD) protection circuit designs, the BiCMOS DT diode string also provides a good ESD performance. Owing to the characteristics of the low leakage current and high ESD robustness, it is very convenient for circuit designers to use the BiCMOS DT diode string in their IC designs.  相似文献   
53.
提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.  相似文献   
54.
一种微透镜阵列的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨修文  祝生祥  谢红  路素彦 《光电子技术》2003,23(3):170-172,181
介绍一种利用表面张力的作用、以光纤作材料、用分离的自聚焦透镜制作微透镜阵型的方法,这种方法具有制作工艺简单、无须昂贵设备等优点,用此方法实际制作了具有良好连续面型的微透镜阵列,并对制作的微透镜阵列进行了测试,效果较好。  相似文献   
55.
The brightness of AlGaInP light emitting diodes (LEDs) has been raised by a factor of 1.12 at 20 mA by sulfide passivation. Meanwhile, the sulfide also can decrease leakage current of AlGaInP LEDs at -2 V to nearly one thousandth of that in the as-fabricated device. The possible causes for the brightness increase of AlGaInP LEDs after sulfide treatment including surface roughness, reduction of Fresnel loss, and effective injection of carriers were demonstrated.  相似文献   
56.
Using the estimates of the exponential sums over Galois rings, we discuss the random properties of the highest level sequences /spl alpha//sub e-1/ of primitive sequences generated by a primitive polynomial of degree n over Z(2/sup e/). First we obtain an estimate of 0, 1 distribution in one period of /spl alpha//sub e-1/. On the other hand, we give an estimate of the absolute value of the autocorrelation function |C/sub N/(h)| of /spl alpha//sub e-1/, which is less than 2/sup e-1/(2/sup e-1/-1)/spl radic/3(2/sup 2e/-1)2/sup n/2/+2/sup e-1/ for h/spl ne/0. Both results show that the larger n is, the more random /spl alpha//sub e-1/ will be.  相似文献   
57.
This paper proposes a method to reduce the vibration of the three-phase HB-type stepping motor with cogging torque by the feedforward compensation control. The compensation signal to suppress the vibration of the motor frame is obtained by the repetitive controller installing an online Fourier transformer and utilizing an acceleration sensor attached to the motor frame or an acoustic sensor such as a microphone placed close to the frame. The sensor is used only for the acquisition of the feedforward compensation data. The feedforward compensation signal at an arbitrary operating point is derived from the amplitude and phase data of the frequency components and the operating point data. Compensation data obtained by the repetitive controller is applied to the operating point changed by reference frequency and load condition in steady state. The compensation signal for the new operating point will be generated from compensation data utilizing polynomial equation approximation and linear interpolation method. The effectiveness of this proposed method is confirmed by the experimental results.  相似文献   
58.
射频板条CO_2激光器并联谐振技术的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文利用周期性网络模型计算了射频板条CO2激光器电极的纵向电压分布.探讨了并联谐振技术在板条器件中获得成功运用的原因.提出了利用并联谐振技术进一步提高电压分布均匀性的两个途径.  相似文献   
59.
60.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110).  相似文献   
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