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11.
A new process for solid phase crystallization (SPC) of amorphous silicon (a-Si) using thin film heater is reported. With this localized Ti silicide thin film heater, we successfully crystallized 500 Å-thick a-Si in a few minutes without any thermal deformation of glass substrate. The size of crystallized silicon grain was abnormally big (30-40 μm). Polycrystalline thin film transistors (TFT) fabricated using this unique thin film heater showed better mobility than those of conventional ones by furnace annealing. 相似文献
12.
13.
改进型遗传算法在加载天线设计中的运用 总被引:5,自引:2,他引:3
遗传算法是一种全新的优化搜索方法,可以用来解决各种复杂的实际问题。针对简单型遗传算法的一些不足之处,介绍了一种改进型的遗传算法,并阐述了其在短波宽带集总加载天线优化设计中的运用。 相似文献
14.
WANG Zhong HONG Haitao XIAO Hai SUN Changku MENG Yan YE Shenghua 《Chinese Journal of Lasers》1997,6(5):435-440
1.IntroductionAbsolutedistancemeasurementisfarfromanewtopic.However,itisstillafieldstimulatinggreatinterestsnowadaysduetoitSimportantroleinmanufacturingandassembly['J.SincethegreatsuccessachievedbyMichelsonandBenoitwhentheyfirstdevelopedaninterferometertodeterminethestandardmeterintermsofthemonochromaticredcadmiumline,theopticinterferometerhasbeenprovedtobeoneofthemostpreciseandefficientwayindisplacementmeasurementbecauseofitshighdiscriminationandsimplestructure.However,thetraditionalinterfe… 相似文献
15.
16.
本文中所设计的电荷泵将用于手机液晶显示驱动模块中.通过对Fibonacci型电荷泵上升时间的估算,对减小上升时间和动态功耗进行折中考虑,本文提出优化开关频率的方法.用1.2μm CMOS双阱工艺参数对所设计的电荷泵进行模拟,结果表明这个电荷泵具有较快的上升速度和较高的效率.通过提高VGS电平和保证开关管的衬底始终接在最高电位上,文中提出了一种新型Fibonacci电荷泵,它可以正常工作在从1.2V到5V变化的多种电源电压下. 相似文献
17.
Bajdik J. Pintye-Hódi K. Novák Cs. Kelemen A. Regdon G. Erős I. 《Journal of Thermal Analysis and Calorimetry》2002,68(2):613-627
The extents of the protective effects of coating films on the surface of crystals were determined. Three different samples
were made with different quantities of coating fluid (Sepifilm LP 010 in 10% aqueous solution). Since the atomizing rate was
constant, the coating time increased in parallel with the volume of coating fluid applied. The direct measurement of film
thickness and smoothness is very difficult, and therefore indirect methods were used. Dimenhydrinate was chosen as model drug;
this is a heat-sensitive antihistamine with a low melting point. This temperature can be reached during the tableting process.
The behaviour of samples on exposure to heat was examined by differential scanning calorimetry. The water uptakes of the samples
were determined with an Enslin apparatus. Plasticity was studied with an instrumented tablet machine. These indirect methods
(thermal conductivity, water uptake and plasticity measurements) revealed connections between the results of the various experiments.
An overlong coating time decreased the protective effect of the coating film.
This revised version was published online in August 2006 with corrections to the Cover Date. 相似文献
18.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献
19.
20.
强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。 相似文献