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1.
2.
A new process for solid phase crystallization (SPC) of amorphous silicon (a-Si) using thin film heater is reported. With this localized Ti silicide thin film heater, we successfully crystallized 500 Å-thick a-Si in a few minutes without any thermal deformation of glass substrate. The size of crystallized silicon grain was abnormally big (30-40 μm). Polycrystalline thin film transistors (TFT) fabricated using this unique thin film heater showed better mobility than those of conventional ones by furnace annealing. 相似文献
3.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献
4.
本文提出了强扩散准则,强雪崩效应以及扩散效应的逼近优势等相关概念,给出了差分均匀性与强k阶扩散准则之间的相互关系,利用给出的设计准则改进了Rijndael密码的S盒。 相似文献
5.
本文介绍了一种计算机存储系统中的单向错误检测码,系统构成采用9位字节,其中8位数据位,1位校验位,并使用一个单独的附加奇偶校验字节。单向错误检测码有两类,一类每个字包含固定的奇偶校验位;另一类每个字节包含的检验位的构成方式是任意的。 相似文献
6.
工艺系统刚度产生的误差原理与分析 总被引:2,自引:0,他引:2
李海明 《电子工业专用设备》2002,31(1):41-44
根据对工艺系统受力变形的分析 ,阐述了工艺系统刚度对零件加工精度的影响 ,并简要提出了提高工艺系统刚度的办法 相似文献
7.
8.
Zukerman M. Wong E.W.M. Rosberg Z. Gyu Myoung Lee Hai Le Vu 《Communications Letters, IEEE》2004,8(2):116-118
We provide teletraffic models for loss probability evaluation of optical burst switching (OBS). We show that the popular Engset formula is not exact for OBS modeling and demonstrate that in certain cases it is not appropriate. A new exact model is provided. The various models are compared using numerical results for various OBS alternatives with and without burst segmentation. 相似文献
9.
Transient hot-electron effect and its impact on circuit reliability are investigated. The rate of device decay is monitored as a function of the gate pulse transient period. Simulation results reveal that excess charges during a fast turn off time may cause an increase in the maximum substrate current. This, along with our experimental data, identifies that transient excess carrier may cause the enhancement of device degradation under certain stress conditions. The enhancement factor of the degradation is a function of the gate pulse transient time. Correlation between the analysis based upon AC/DC measurement and calculations based upon transient simulation are shown in the paper. Better agreement with experimental data is obtained by using the transient analysis and on chip test/stress structures. The correlation between AC and DC stress data is also shown based on the impact ionization model. A hot-electron design guideline is proposed based on the circuit reliability analysis. This guideline can help improve the circuit reliability without adversely effecting the circuit performance. 相似文献
10.
四方向上的任意角度扇形数字滤波器的设计 总被引:3,自引:1,他引:2
具有任意角度(扇形所围成的角度)和任意方向(扇形所取方向)的扇形数字滤波器在图像数据压缩和地质、地震等方面的数据处理中有着广泛的应用。目前,大多数的工作多集中于水平及垂直方向的90°扇形数字滤波器的设计,因而有必要研究任意方向上的任意角度的扇形数字滤波器的设计。本文介绍利用McClellan交换法设计具有垂直,水平及±45°方向上的任意角度的扇形数字滤波器的设计方法,垂直水平方向上的扇形滤波器的设 相似文献