全文获取类型
收费全文 | 23657篇 |
免费 | 4221篇 |
国内免费 | 5469篇 |
专业分类
化学 | 10178篇 |
晶体学 | 549篇 |
力学 | 1039篇 |
综合类 | 662篇 |
数学 | 1916篇 |
物理学 | 6501篇 |
无线电 | 12502篇 |
出版年
2024年 | 110篇 |
2023年 | 323篇 |
2022年 | 854篇 |
2021年 | 827篇 |
2020年 | 735篇 |
2019年 | 674篇 |
2018年 | 667篇 |
2017年 | 980篇 |
2016年 | 702篇 |
2015年 | 1078篇 |
2014年 | 1359篇 |
2013年 | 1729篇 |
2012年 | 1825篇 |
2011年 | 1868篇 |
2010年 | 1861篇 |
2009年 | 2034篇 |
2008年 | 2167篇 |
2007年 | 2091篇 |
2006年 | 1927篇 |
2005年 | 1710篇 |
2004年 | 1406篇 |
2003年 | 999篇 |
2002年 | 945篇 |
2001年 | 848篇 |
2000年 | 938篇 |
1999年 | 569篇 |
1998年 | 248篇 |
1997年 | 191篇 |
1996年 | 183篇 |
1995年 | 162篇 |
1994年 | 150篇 |
1993年 | 175篇 |
1992年 | 136篇 |
1991年 | 99篇 |
1990年 | 97篇 |
1989年 | 125篇 |
1988年 | 96篇 |
1987年 | 79篇 |
1986年 | 54篇 |
1985年 | 41篇 |
1984年 | 51篇 |
1983年 | 37篇 |
1982年 | 35篇 |
1981年 | 32篇 |
1980年 | 27篇 |
1979年 | 18篇 |
1978年 | 6篇 |
1974年 | 7篇 |
1965年 | 20篇 |
1964年 | 10篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
991.
利用传输矩阵法研究了光通信中850nm、1330nm和1550nm三个波长的光子晶体滤波器。研究了如何通过选择各层的折射率及宽度使滤波器工作在给定的波长上并具有极窄线宽的方法。经过数值计算分别得出了工作于这三个波长上的光子晶体滤波器的参数。计算结果表明,当缺陷模厚度保持不变时,中心波长会随折射率的增大向长波移动。通过选择适当的参数,可制作出工作于850nm、1330nm和1550nm波长上的线宽为0.0001nm的极窄线宽光子晶体滤波器。 相似文献
992.
当前忆阻器等效电路中的传统运算放大器存在功耗高、噪声大等问题。针对这些问题,基于简化差分对设计了两种极简化的运算放大器。通过电路仿真对两种简化运算放大器与传统运算放大器进行功耗与噪声仿真分析。结果表明,与三种传统运算放大器相比,该简化运算放大器的功耗最低,抗噪声性能最优。运算放大器的总功耗为15 mW,等效输出噪声电压为11.55 nV·Hz-1/2,噪声系数为35.873 dB。基于两种简化运算放大器,设计了一种二阶荷控忆阻器等效电路。通过理论分析、电路仿真和硬件电路板基实验,对该等效电路的忆阻特性进行了分析与验证。 相似文献
993.
大尺寸聚合物伸直链晶体在低维体系物理学的研究中具有不可替代的重要作用。但以往高压合成的聚合物伸直链晶体,尺寸较小且合成时间过长,使其作用至今未能显现。加入10%(质量分数)聚碳酸酯(PC)于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)中,在研究PET/PC共混体系高压结晶行为的过程中快速合成了大量生长厚度超过100 μm 的聚合物伸直链晶体,并采用扫描电子显微镜对其进行了深入研究。研究表明,高压结晶PET/PC共混体系中存在不同类型的大尺寸伸直链晶体:完善的伸直链晶体、沿平行或垂直于C轴方向发生断裂的伸直链晶体、内聚能密度较大而发生内聚破裂的伸直链晶体、不同断裂方式下呈不同形态的楔形状伸直链晶体以及弯曲的伸直链晶体。同时对不同形态伸直链晶体的形成机理作了阐述。 相似文献
994.
995.
996.
997.
半导体激光器温控电路分析与测试 总被引:1,自引:0,他引:1
阐述了半导体热电致冷器(TEC)的基本工作原理,分析了TEC线性驱动和PWM驱动的原理以及采用PWM驱动的优点,介绍了PID温度补偿控制的原理,并设计了实验.采用相同的测试条件,对MAX1978、ADN8830和线性功率管进行了性能测试,实验数据表明温度控制电路采用PWM驱动功耗更小,全温(-40~60℃)控制效果更好. 相似文献
998.
999.
以TTA为配体合成了新的共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy,通过与PVK的掺杂,制备了以PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3 Dipy为发光层的结构为:ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/BCP/Al的发光器件,在直流电压的驱动下,发现了铕在612 nm处的特征发射,和PVK在410 nm处的发光.此外,还观察到了位于490 nm处的新的发光峰,通过分析研究,认为新的发光来自于稀土配合物的配体和BCP之间相互作用形成的电致激基复合物.用PBD代替了BCP作为电子传输层,制备了结构为:ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3DiPy/PBD/Al的发光器件,得到了纯的红色发光. 相似文献
1000.
基于TEC的大功率LD恒温控制系统的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
TEC存在功率有限、制冷效率低的问题,在用于大功率半导体激光器的温度控制时,常常无法达到所需的制冷效果.通过理论研究、软件仿真和实验验证,总结和提出了根据LD热负载选择TEC的理论依据和方法,以及与之匹配的大功率散热结构的设计优化准则.经实验验证,根据此原则设计的温控系统可在环境温度-40~55℃时,对30 W的LD实现恒温控制,温控范围20~40℃,温控精度0.5℃,实验结果表明此方法可以提高系统的整体效率,在设计大功率半导体激光器温控系统时具有一定的参考价值. 相似文献