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91.
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Each convex planar set K has a perimeter C, a minimum width E, an area A, and a diameter D. The set of points (E,C, A1/2, D) corresponding to
all such sets is shown to occupy a cone in the non-negative orthant of R4with its vertex at the origin. Its three-dimensional cross section S in the
plane D = 1 is investigated. S lies in a rectangular parallelepiped in R3. Results of Lebesgue, Kubota, Fukasawa, Sholander, and Hemmi are used to
determine some of the boundary surfaces of S, and new results are given for the other boundary surfaces. From knowledge of S, all inequalities among
E, C ,A, and D can be found. 相似文献
93.
将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。 相似文献
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97.
98.
LaNiO3导电金属氧化物薄膜在现代应用科学研究中作为电极和过渡阻挡层倍受青睐,它具有很好的导电特性和稳定性。该文采用射频溅射法制备了具有(100)择优取向的赝立方结构LaNiO3-x薄膜,并进行了原位热处理。实验结果表明,在265℃的处理条件下,LaNiO3薄膜表现出不稳定性,晶格中的氧在2h内失去了2.7%。氧的损失对品格结构没有明显影响,但薄膜的导电性能明显下降,折射率和消光系数也具有相同幅度的下降。对薄膜的应用具有一定的影响。该文从LaNiO3薄膜的导电机理方面对实验现象给出了分析和解释。 相似文献
99.
用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5~ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 . 相似文献
100.