全文获取类型
收费全文 | 33434篇 |
免费 | 6269篇 |
国内免费 | 6200篇 |
专业分类
化学 | 14873篇 |
晶体学 | 643篇 |
力学 | 1512篇 |
综合类 | 780篇 |
数学 | 2695篇 |
物理学 | 8846篇 |
无线电 | 16554篇 |
出版年
2024年 | 108篇 |
2023年 | 570篇 |
2022年 | 1115篇 |
2021年 | 1223篇 |
2020年 | 1154篇 |
2019年 | 1084篇 |
2018年 | 1011篇 |
2017年 | 1272篇 |
2016年 | 1252篇 |
2015年 | 1695篇 |
2014年 | 2003篇 |
2013年 | 2552篇 |
2012年 | 2867篇 |
2011年 | 3022篇 |
2010年 | 2760篇 |
2009年 | 2750篇 |
2008年 | 2954篇 |
2007年 | 2825篇 |
2006年 | 2604篇 |
2005年 | 2254篇 |
2004年 | 1607篇 |
2003年 | 1182篇 |
2002年 | 1144篇 |
2001年 | 991篇 |
2000年 | 938篇 |
1999年 | 565篇 |
1998年 | 361篇 |
1997年 | 274篇 |
1996年 | 244篇 |
1995年 | 216篇 |
1994年 | 185篇 |
1993年 | 173篇 |
1992年 | 168篇 |
1991年 | 113篇 |
1990年 | 98篇 |
1989年 | 89篇 |
1988年 | 78篇 |
1987年 | 69篇 |
1986年 | 51篇 |
1985年 | 48篇 |
1984年 | 41篇 |
1983年 | 32篇 |
1982年 | 29篇 |
1981年 | 28篇 |
1980年 | 19篇 |
1979年 | 15篇 |
1978年 | 11篇 |
1977年 | 7篇 |
1965年 | 7篇 |
1954年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 422 毫秒
991.
通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V,临界点Ea是3.93 e V,临界点Eb是4.65 e V,它们随着温度的上升而下降,在453 K禁带宽度Eg是3.05 eV,临界点Ea是3.57 eV,临界点Eb是4.56 eV.这三个跃迁能量Eg、Ea、Eb分别对应从O 2p到Ti d、Ni d、Pb 6p轨道跃迁.它们随温度上升而下降的变化规律可以用晶格热膨胀和电子声子相互作用理论来解释.通过Tauc-Lorentz色散模型拟合得到了303 K到453 K温度范围的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.3PbTiO_3单晶光学常数及其随温度的变化规律,发现折射率n随着温度的升高而升高. 相似文献
992.
采用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了不同镧掺杂浓度BiGaO_3(Lx BGO,0≤x≤0.1)薄膜.X-射线衍射(XRD)表明该属于正交晶系的多晶薄膜,原子力显微镜(AFM)图像显示样品表面具有很好的平整性.采用椭圆偏振技术对其光学性质进行了详细的研究,发现其光学常数符合Adachi色散模型.进一步发现其禁带宽度随着镧掺杂浓度的增加而增加,该规律与理论预言相吻合.有关LxBGO材料的研究为铋基光电器件如紫外探测器的实现提供物理基础支持. 相似文献
993.
建立了自洽的考虑波导璧损耗的折叠波导等效电路模型,用来计算该慢波结构周期TE10模式中各次空间谐波的相速度,耦合阻抗和线衰减系数.分析结果将会用到220 GHz折叠波导返波管一维束波互作用模型的计算中.当微波频率上升到太赫兹波段时,粗糙波导表面电流导致的壁损将不能再忽略不计.进一步研究表明,起振电流和输出功率水平将和损耗特性的计算密切相关.从原有模型发展而来的有损电路模型可以给出更准确损耗估计.建立了折叠波导慢波线三维谐振腔模型来验证本文的等效电路理论,有较好的吻合.采用了该理论导出参数的一维束波互作用模型和三维数值PIC方法同样有很好的一致性. 相似文献
994.
995.
为有效管理NandFlash存储空间,提出了单替换块组相联映射方法.将NandFlash擦除块的集合划分成若干虚拟组,逻辑空间和虚拟空间映射时,组内的页任意映射,组间一一映射.一个虚拟组只设置一个替换块,用于组内无效页的回收和重用.该方法能够保持较高的空间利用率,垃圾回收时间确定.利用存储设备访问的局部性,仅把需要的组映射表装入内存,内存开销小.分析表明,虚拟组大小为16个擦除块时工程实践是合适的. 相似文献
996.
磁耦合元胞自动机逻辑器件(即纳磁体逻辑器件)是后CMOS时代的一种极具潜力的新技术,具有无引线集成、极低功耗和天然非易失性等优点.纳磁体逻辑器件由纳米级单畴磁体构成,而磁体的形状是其一个重要的器件特征参数.本文研究了不同特殊形状纳磁体的转换特性,获得了改变特殊形状器件状态的时钟场值.提出了基于不同尺寸特殊形状纳磁体的可重配置择多逻辑门,采用OOMMF软件验证了形状择多逻辑门的输入可重配置性,得到了顺序配置不同输入组合所需的时钟场.该可重配置门结构的提出为磁性可编程逻辑计算电路的实现奠定了重要的理论基础. 相似文献
997.
基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W,PAE达39%.该结果表明GaN MMIC具有高频高功率高效率的优势,具有广阔的应用前景. 相似文献
998.
999.
1000.