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Choosing the optimum diagnostic nodes is helpful to increase the accuracy and the efficiency of circuits fault diagnosis. Grey entropy relation algorithm is proposed to choose the optimum diagnostic nodes of analogue circuits in this paper. Analogue circuits are regarded as grey system. Grey relation analysis and grey entropy analysis are combined to grey entropy relation algorithm. Grey entropy relation algorithm is used to quantify the relationship between the diagnostic nodes and fault components. The relevance between the diagnostic nodes and fault components can be evaluated by grey entropy relation degrees. According to the rank order of grey entropy relation degrees, the optimum diagnostic nodes of analogue circuits can be selected objectively and accurately. An example of fault diagnosis is presented to verify the validity of the optimum diagnostic nodes. 相似文献
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介绍了基于DSC(Digital Signal Controller)的异构双核编程模型。DSC将MCU和DSP进行单片结合,从而既具有MCU的控制灵活性又具有DSP的快速计算能力和高精度处理能力。编程模型针对DSC的异构双核架构提供了核间通信、同步、任务分配的方法。实验证明,DSC较之单MCU能更好地完成复杂的控制任务。 相似文献
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一步法制备含W介孔碳材料及其氧化脱硫性能研究 《燃料化学学报》2017,45(3):345-353
以钨酸钠为钨源,以乙二胺四乙酸二钠为碳源经过高温煅烧制备了含W的介孔碳材料,采用XRD、SEM、FT-IR、BET对含钨的介孔碳材料进行表征。结果表明,煅烧后介孔碳材料的表面形成了粒状含有结晶水的氧化钨(WO_3·H_2O)。相比于纯的介孔碳材料,含钨介孔碳材料的总比表面积减小。以含W介孔碳材料为催化剂,H_2O_2作为氧化剂,1-丁基-3-甲基咪唑氟硼酸盐([BMIM][BF_4])离子液体作为萃取剂,组成萃取-催化氧化脱硫体系(ECODS)并研究其对模拟油中二苯并噻吩脱除效果。考察了氧化钨负载量、反应温度、H_2O_2加入量、催化剂用量、离子液体用量以及不同类型硫化物对二苯并噻吩脱除的影响。在最佳反应条件下,催化剂对二苯并噻吩(DBT)、4,6-二甲基二苯并噻吩(4,6-DMDBT)、苯并噻吩(BT)、噻吩(TH)和真实汽油的脱除率分别达到98.6%、65.6%、61.2%、57.8%和64.3%。催化剂回收利用五次之后脱硫率略有降低,仍高达95.2%。 相似文献
136.
Uncooled InAsSb photoconductors were fabricated. The photoconductors were based on InAs0.05Sb0.95 and InAs0.09Sb0.91 thick epilayers grown on InAs substrates by melt epitaxy (ME). Ge immersion lenses were set on the photoconductors. The cutoff wavelength of InAs0.09Sb0.91 detectors is obviously extended to 11.5 mm, and that of InAs0.05Sb0.95 detectors is 8.3 mm. At room temperature, the peak detectivity of Dλp at wavelength of 6.8 mm and modulation frequency of 1 200 Hz is 1.08×109 cm.Hz1/2.W-1 for InAs0.09Sb0.91 photoconductors, the detectivity D at wavelength of 9 mm is 7.56×108 cm.Hz1/2.W-1, and that at 11 mm is 3.92×108 cm.Hz1/2.W-1. The detectivity of InAs0.09Sb0.91 detectors at the wavelengths longer than 9 mm is about one order of magnitude higher than that of InAs0.05Sb0.95 detectors, which rises from the increase of arsenic (As) composition in InAs0.09Sb0.91 materials. 相似文献
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为了实现一次性在八芯带纤上不同波长阵列光纤光栅刻写,采用专门设计的带纤夹具夹持光纤,使用电控位移平台对带状光纤整体施加拉力,利用相位掩膜工艺对光纤逐根曝光,采用扫描写入的方法进行汉明切趾,仅用单一相位模板就实现了八芯带纤上不同波长阵列布喇格光纤光栅刻写。刻栅过程由电脑编程控制,中心波长、波长间隔以及切趾方式可以灵活调整。结果表明,获得的光栅其3dB带宽为0.2nm、波长间隔为0.5nm、波长偏差小于50pm、反射率达到80%~85%。此种带状光纤多波长阵列光栅刻写工艺是完全可行的。 相似文献
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